Стехиометрический кристалл

Cтраница 3

В системах А11 - Bv существует несколько соединений. Кроме того, для большого числа промежуточных фаз характерны полиморфные превращения в твердом состоянии, что в сочетании с летучестью ряда компонентов затрудняет технологию получения стехиометрических кристаллов. [31]

При отклонении состава бинарных кристаллов от стехиомет-рического наблюдается, как правило, увеличение электропроводности. Следовательно, дефекты нестехиометрии являются источником свободных или слабосвязанных электронов. Эффективный заряд нормальных составляющих стехиометрического кристалла, независимо от характера химической связи, принимается равным пулю. [32]

Теоретическое толкование экспериментальных результатов ( 36. пунктиром дано равновесие при температуре отжига. сплошной линией даны пир после закалки при температуре окружающей среды. [33]

Особая точность контроля не обязательна. На рис. 38, а приведена диаграмма РТХ. Давление паров, соответствующее собственному или стехиометрическому кристаллу ( что здесь одно и то же) зависит не только от температуры отжига, но и от присутствия других примесей. [34]

Соединения переменного состава, рассмотренные в предыдущих параграфах, обязательно являются неупорядоченными, за исключением тех случаев, когда они имеют идеальный или предельный состав. Дело в том, что если заняты не все положения в промежутках, то заполненные положения занимаются беспорядочно. Рассмотренные выше дефекты решеток можно отнести к классу неупорядоченности в стехиометрических кристаллах, но имеются еще более отчетливые случаи. [35]

Из литературных данных следует, что такая же ситуация существует в ТЮ2, где также не были обнаружены ионы Ti3 в регулярных узлах решетки. При восстановлении или при введении примесей низшей валентности электронейтральность обеспечивается поворотами или сдвигами целых полиэдров таким образом, что те из них, которые были соединены ранее в стехиометрическом кристалле вершинами, соединяются ребрами, а соединенные ребрами - гранями. Эти сдвиги происходят по строго определенным плоскостям, и уже при очень малых концентрациях в кристалле образуются плоскости, занятые ионами низшей валентности. По-видимому, этим же сдвиговым механизмом восстановления обусловлены фазы Магнели. [36]

K s - Ki Ks - Легко видеть, что при РХа const изменение температуры приводит к изменению концентрации всех точечных дефектов и нестехиометрии кристалла. Так как скачок б определяется значением константы собственного разупорядочения ( K s и Ki для электронного и ионного полупроводников соответственно), а эта величина уменьшается с понижением температуры, для получения строго стехиометрических кристаллов можно было бы рекомендовать осуществлять синтез при возможно более низкой температуре. Но при этом следует иметь в виду, что снижение температуры увеличивает время установления равновесия. [37]

В клатратах также имеются полости, но без входных окон. Таким образом, адсорбция с образованием клатрата протекает как кристаллизация частиц твердого тела с включением молекул адсорбата. Примером может служить кристаллизация хинола в присутствии растворителя или растворенного газа, молекулы которых достаточно малы и могут входить в полости диаметром несколько ангстрем, образуемые молекулами хинола. Иногда в такие полости входит не одна, а несколько молекул. Таким образом, получаются стехиометрические кристаллы, однако при этом решающую роль играют не химические, а топологические факторы. [38]

Спектр ВИМС высокотемпературного сверхпроводника УВагСизО. - Спектрометр EVA 2000 SIMS, энергия первичных ионов 0 составляла 4кэВ. ( С любезного разрешения д-ра М. Доусетта, Университет. [39]

Этот эффект называется дифференциальным распылением. Другая причина, почему поверхность и объем могут различаться по составу, может быть связана с тем, что сегрегация ( либо к поверхности, либо от нее) одного из сортов атомов происходит с более высокой скоростью, чем у других атомов. Этот фактор можно свести к минимуму, если найти такой эталон, который имеет состав, очень близкий к составу исследуемого образца. Примером такого рода является поверхностный анализ с помощью ВИМС полупроводниковых соединений типа III-V. Здесь в качестве стандарта берется стехиометрический кристалл бинарного соединения, такого как, например, GaAs. Эта плоскость поровну заполнена атомами Ga и As. Бели неизвестный образец имеет состав, отличающийся от состава стехиометрического соединения всего на несколько атомных процентов, то количественный анализ с уверенностью определит это. [40]

Методы очистки антимонида галлия разработаны еще недостаточно. Мало изучено и поведение примесей при его кристаллофизической очистке. В результате зонной плавки получается материал, содержащий примеси, природу которых определить не удается. Вследствие этого зонную плавку антимонида проводят только с целью гомогенизации образцов. Монокристаллы антимонида выращивают по методу Чохральского в атмосфере водорода на обычных установках. Выращивание из расплава, обогащенного сурьмой, дает монокристаллы более высокого качества. По-видимому, избыток сурьмы способствует получению более стехиометрических кристаллов, а также, возможно, изменяет коэффициент распределения примеси, который в обычном расплаве близко к единице. [41]

Во всех приведенных выше экспериментах кристаллы не находятся в состоянии химического равновесия. Наблюдаемые эффекты либо связаны с установлением нового равновесия, либо являются результатом концентрационного градиента. Необходимо различать эти два случая. Первый случай характерен для соединений с простым отклонением от стехиометрии, когда отсутствует вторая фаза. Например, при последовательных термообработках в парах серы и кадмия кристаллов CdS, слабо легированных донором, материал приобретает попеременно изолирующие или проводящие свойства. Обычно считают, что такие процессы обусловлены созданием и аннигиляцией вакансий, компенсирующих доноры. Указанные процессы термообработки CdS могут протекать либо в результате введения и удаления с помощью диффузии вакансий кадмия, либо путем образования френкелевской пары рядом с атомом донорной примеси. При этом может наблюдаться диффузия меж-доузельного кадмия. В таких случаях наиболее правильное объяснение определяется тем, что стехиометрический кристалл в совокупности с любыми химическими добавками ( которые, как полагают, являются относительно устойчивыми) считают одним компонентом, а природные дефекты - вторым быстро диффундирующим компонентом. Это равносильно тому, что природные дефекты в совершенной решетке рассматриваются как примеси. Таким образом, наблюдаемые скорости диффузии характерны для быстро диффундирующих природных дефектов. [42]

Страницы: 1 2 3