Обычный кристалл

Cтраница 2

При описании основного состояния обычного кристалла считают, что в каждом узле решетки постоянно находится по одному атому. Но когда амплитуда нулевых колебаний сравнивается по порядку величины с межатомным расстоянием в кристалле, атом перестает быть локализованным в определенном узле. [16]

Сопоставление сопротивлений сдвигу - нитевидных и обычных кристаллов показывает, что прочность на сдвиг усов в 100 - 1000 раз больше, чем обычных монокристаллов. [17]

Принципиальная схема производства перхлората аммония по обменной реакции между перхлоратом натрия, аммиаком и соляной кислотой. L. [18]

Округлые кристаллы имеют преимущества перед обычными кристаллами в производстве смесевых ракетных топлив. Они улучшают технологические свойства топливных смесей. [19]

Имеются сведения о влиянии ядерных взрывов на обычные кристаллы, но эти сведения крайне ограниченны по сравнению с информацией об обратимых и послерадиационных эффектах. [20]

Здесь дается сравнение свойств замедляющих систем и обычных кристаллов. [21]

Объемная структура кристалла с винтовой дислокацией. [22]

Анализ причин, обусловливающих относительно малую прочность обычного кристалла по сравнению с идеальным, позволяет сделать вывод, что в обычном кристалле должны находиться дефекты дислокационного типа. Дислокации в значительной степени облегчают и упрощают перемещения атомов в объеме каждого зерна, что необходимо для осуществления пластической деформации. [23]

Объяснить существование подобных потоков точечных дефек-ов в структуре обычного кристалла невозможно. Однако их пред-казывает теория атом-вакансионных состояний в кристаллах во нешних полях. В пластич-ых твердых телах, где барьер зарождения невелик, массоперенос ри внедрении индентора осуществляется главным образом движе-ием дислокаций, источником которых является область атом-ва-ансионных состояний. [24]

Следовательно, коллоидные частицы, в отличие от обычных кристаллов, характеризуются несовершенной упорядоченностью своих составных элементов. [25]

Проверим прежде всего, что это условие выполняется для обычного кристалла. [26]

Чтобы сделать эпитаксиалъные приборы конкурентоспособными с приборами на основе обычных кристаллов, важно обеспечить не только постоянство их сопротивления, но и достаточно высокие значения таких параметров, как подвижность и время жизни носителей, которые определяют вольтамперные характеристики диодов. В настоящее время получены эпитаксиальные пленки полупроводников толщиной порядка десятков микрон с подвижностью носителей на уровне хороших массивных кристаллов. На очереди стоит задача выращивания тонких ( 100 - 1000 А) пленок с заданными параметрами, позволяющими использовать особенности электронных процессов в тонких слоях. [27]

Скорость удлинения во много раз больше, Чем скорость роста обычных кристаллов ( в газовой фазе обычно ок. [28]

Глобулярный кристалл имеет внешнюю огранку, и этим он похож на обычный кристалл. Но между ними есть существенное различие. В обычном молекулярном кристалле какого-нибудь низкомолекулярного вещества в узлах кристаллической решетки находятся совершенно одинаковые молекулы. [29]

Автор этой главы понимает под структоном некий заменитель атомов или молекул в обычных кристаллах, короче говоря, те сегрегированные домены, которые образуют узлы в изображенных на рис. II. [30]

Страницы: 1 2 3 4