Обычный кристалл

Cтраница 3

Понятие дислокации в смектике имеет тот же смысл, что и в обычном кристалле. Разница состоит лишь в том, что ввиду одномерной ( вдоль оси z) периодичности микроскопической структуры смектиков вектор Бюргерса дислокации в них всегда направлен по оси г, а по величине равен целому кратному от периода а структуры. [31]

Понятие дислокации в смектике имеет тот же смысл, что и в обычном кристалле. [32]

Установлено, что отжиг при указанных температурах в течение 2 - 3 ч обычных кристаллов, содержащих азот в виде одиночных парамагнитных атомов ( С-центров), приводит к появлению в их структуре большого количества дисперсных образований с размерами не более ( 7 - 10) 10 - 9 м и концентрацией - 1021 м - 3 ( рис. 160 а), по форме идентичных образованиям типа плейтелитс ( дефекты типа В2 - центров) в природных алмазах. Важно отметить, что связь дефектов этих двух типов с процессом сегрегации атомов азота подтверждается в нашем случае тем, что такие дефекты не обнаруживались в отожженных образцах с незначительным содержанием азота в исходном состоянии. [34]

Установлено, что отжиг при указанных температурах в течение 2 - 3 ч обычных кристаллов, содержащих азот в виде одиночных парамагнитных атомов ( С-центров), приводит к появлению в их структуре большого количества дисперсных образований с размерами не более ( 7 - 10) 10 - 9 м и концентрацией - 1021 м - 3 ( рис. 160 а), по форме идентичных образованиям типа плейтелитс ( дефекты типа 52-центров) в природных алмазах. Важно отметить, что связь дефектов этих двух типов с процессом сегрегации атомов азота подтверждается в нашем случае тем, что такие дефекты не обнаруживались в отожженных образцах с незначительным содержанием азота в исходном состоянии. [35]

Этот процесс является квантовым аналогом механизма переноса примесных атомов с помощью вакансий в обычных кристаллах. [36]

Как рентгеновские зеркала многослойные структуры в практическом смысле оказались значительно более гибкими, чем обычные кристаллы. Их параметры легко можно изменять, придавая им нужные свойства. Например, подбирая период структуры в соответствии с условием (3.3), можно настраивать пик отражения на данную длину волны, или на данный угол падения, или на то и другое одновременно. Ширину пика можно варьировать в значительных пределах, подбирая пары веществ - компонентов покрытия, толщины слоев и их число. Наконец, можно так подобрать вещества и толщины слоев, чтобы пиковый коэффициент отражения был максимален. Отметим, что аналогичный резонансный характер с максимумом, положение которого определяется условием (3.3), носит и зависимость коэффициента отражения от длины волны. В связи с этим многослойное зеркало является одновременно и дисперсионным элементом для рентгеновского излучения. [37]

Колебательные спектры таких неупорядоченных систем как стекла и аморфные тела существенно отличаются от спектров обычных кристаллов. В отличие от кристаллов в спектрах стекол и аморфных веществ при энергиях меньше 1 К наблюдается постоянная плотность колебательных состояний, а в области энергий 2 - 10 мэВ ( 15 К) имеется избыточная ( по сравнению с дебаевской) плотность колебательных состояний. Эта избыточная плотность состояний наблюдается во всех стеклах и проявляется в низкоэнергетических спектрах неупругого рассеяния нейтронов, низкочастотных спектрах комбинационного рассеяния света ( КРС), в спектрах инфракрасного поглощения, в низкотемпературной теплоемкости и теплопроводности. Согласно модельным представлениям [12-16] колебательные возбуждения, ответственные за избыточную плотность состояний в неупорядоченных телах, локализованы в области, содержащей от нескольких десятков до сотни атомов и имеющей размер от одного до нескольких нанометров. [38]

Если заснять на одну и ту же пластинку две рентгенограммы Лауэ: одну для обычного кристалла, другую - для того же кристалла над нагрузкой, то мы получим две серии пятен. [39]

Эти системы характеризуются значительной величиной внутренней поверхности и представляют интерес как переходные системы между обычными кристаллами со сравнительно небольшими пустотами, и состоянием, отвечающим наружным поверхностям этих кристаллов. [40]

Последовательные оболочки из атомов в псевдо-икосаэдре Ма. [41]

Квазикристаллы идентифицируют и исследуют в основном по дифракции рентгеновских лучей, так же как и обычные кристаллы. [42]

Такая упорядоченность расположения молекул и затрудненность их вращения относительно некоторых направлений приближают жидкие кристаллы к обычным кристаллам. [43]

Интересно отметить: и в жидких кристаллах были обнаружены те же типы дефектов, что в обычных кристаллах, картина которых неразрывно связана с именем Якова Ильича. [44]

Уравнение Томсона показывает, что температура плавления очень мелких кристаллов должна быть всегда несколько ниже температуры плавления обычных кристаллов. [45]

Страницы: 1 2 3 4