Возбужденный кристалл

Cтраница 1

Возбужденный кристалл удобно трактовать, используя понятия и аппарат квантовой теории поля. Эта теория рассматривает физический вакуум ( пустоту) как совокупность ряда полей: электронно-позитронного, мезонного, протонного и др. При достаточной энергии воздействия можно создать возбужденные состояния соответствующих полей, что проявляется в рождении пар различного типа элементарных частиц: электрон-позитрон, протон-антипротон и др. При столкновениях античастицы аннигилируют и система переходит в основное состояние, испуская пару фотонов. При таком подходе идеальный кристалл представляет собой вещественное поле, находящееся в основном состоянии. [1]

В ходе движения сильно возбужденного кристалла к равновесию в нем могут возникать промежуточные структуры, связанные с возможностью локализации сильно возбужденных атомов в новых структурных состояниях. Промежуточные структуры в конечном состоянии оказываются метастабильными, однако обеспечивают при своем возникновении дополнительные каналы диссипации энергии. Процесс является сугубо диссипативным. [2]

К сожалению, спектр поглощения возбужденного кристалла MgF2 - V3 неизвестен. [3]

Наблюдаемые результаты хорошо согласуются с развитыми в 82 ] представлениями о возникновении смешанного состояния в сильно возбужденных кристаллах. [4]

Выражение (3.15), в противоположность (3.9), не является еще правильной волновой функцией нулевого приближения для возбужденного кристалла. В самом деле, в силу трансляционной симметрии возбуждение может быть локализовано на любом узле решетки, при этом энергия кристалла остается неизменной. [5]

Такого же рода длинноволновая люминесценция возникает и в тех случаях ( кристаллы германия и кремния), когда экситонная подсистема сильно возбужденного кристалла переходит в совокупность электронно-дырочных капель. У нас нет здесь возможности сколько-нибудь подробно останавливаться на обсуждении интересных физических явлений, которые наблюдаются в кристаллах, содержащих электронно-дырочные капли ( см. § 5 гл. Отметим лишь, что в молекулярных кристаллах с их экситонами малого радиуса упомянутые выше явления не были замечены, и это обстоятельство, безусловно, связано с тем, что в полупроводниках экситон-экситонное взаимодействие в известном смысле является значительно более слабым, чем экситон-экситонное взаимодействие в молекулярных кристаллах. [6]

Первое качественное обсуждение возможной природы необычного характера поведения материала в приграничных полосах локализованной деформации было проведено в [64] на основе представлений об атом-ваканспонных состояниях в сильно возбужденном кристалле. Выполненные в последующем теоретические работы [1, 18] позволили сформулировать пути количественного описания механизма данного явления. В [32] рассмотрена теория деформации структурно-неоднородной среды, в которой неоднородность напряженного состояния описывается введением в деформируемом материале калибровочных полей, обеспечивающих совместность реформации смежных разориентированных элементов структуры. В ходе деформации на границах раздела структурных элементов возникают источники, испускающие потоки дефектов различной природы. Часть потоков распространяется в объем деформирующихся зерен, другая локализуется вдоль границ зерен и в приграничных зонах. Соотношение этих составляющих зависит от материала и условий деформации. [7]

Положение осей для любого данного луча. [8]

Ах, Лу - оси для луча A: OX, OY-оси для луча О ( нормальный луч), О1т О0 - направление выходов оптических осей возбужденного кристалла. [9]

То, что в голове распространяющейся трещины возникают особые состояния, материал аморфизуется, отмечалось в ряде экспериментальных работ. Чтобы увеличить масштабы данной зоны, необходимо взять предварительно сильно возбужденный кристалл. [10]

Результаты экспериментальных исследований и проведенных оценок показывают, что при ползучести поликристаллов в условиях движения зерен как целого заметный вклад в аккомодационные процессы дает квазивязкое течение с непрерывным изменением кривизны поверхности зерен. Механизм квазивязкого течения связывается с движением атомов недиффузионной природы в условиях сильно возбужденного кристалла. В данных условиях нагруже-ния этот механизм массопереноса является одним из ведущих наряду с дислокационным скольжением и зернограничным проскальзыванием. [11]

Из других методов, аналогичных методу термического высвечивания, следует отметить разработанный Ч. Б. Лущиком [158, 173, 174] оригинальный метод термического обесцвечивания. Этот метод основан на измерении зависимости коэффициента поглощения в максимуме полосы поглощения центров захвата от температуры при равномерном нагреве возбужденного кристалла. [12]

Существование в реальном кристалле, помимо его основного структурного состояния, целой совокупности других локальных структур обусловлено фактором производства энтропии при движении сильно неравновесного твердого тела к равновесию. При небольшой плотности этих сторонних локальных структур их классифицируют как дефекты реального кристалла, при большой - как аморфное состояние. Получить из смеси нескольких структур сильно возбужденного кристалла одну, идеальную в основном состоянии - задача сверхсложная. [13]

Яркостные характеристики растровых экранов. а - НИКФИ. б - из элиминированных рифленых листов.| Зависимость разрешающей способности и яркости экрана от толщины слоя. [14]

Слой вещества, люминесцирующего под влиянием светового облучения, наносится обычно на стеклянную подложку. Возбуждение экрана производится со стороны слоя. Свечение, возникающее в люминофоре, отражается и рассеивается как на самом возбужденном кристалле, так и на соседних кристаллах. [15]

Страницы: 1 2