Кристаллизация - компонент
Cтраница 3
Соединение АВ находится в поле кристаллизации компонента В. [31]
По результатам эксперимента построена поверхность кристаллизации компонентов и разграничены поля кристаллизации двух соединений, определены состав и температура тройных нонвариантных точек. [32]
Диаграмма ликвидуса состоит из ветвей кристаллизации компонентов. [33]
 |
Тетраздрическая диаграмма состояния. [34] |
Эта поверхность называется изотермой начала кристаллизации компонента С при данной температуре. Фигуративной точке п отвечают кристаллы С и расплав состава о, насыщенный относительно С. [35]
 |
Формы кривых ликвидуса в двойной системе. о - отсутствие растворимости компонентов в твердом состоянии. б - неограниченная растворимость в твердом состоянии. [36] |
О Ч - 1 кривые начала кристаллизации компонентов А и В ( линии ликвидуса) должны пересечься в одной точке. Состояние системы в точке Е, получившей название эвтектической, отвечает нонвариантному равновесию. Эвтектической точке отвечает самая низшая температура плавления сплавов в двухкомпонентной системе. Само слово эвтектика означает хорошо плавящийся. [37]
 |
Проекции изотермы ( безводная и водная системы КС1 - NaCl - MgCl2 - H2O при 25 С. [38] |
С помощью такого же построения рассчитывают кристаллизацию компонента С при охлаждении раствора до той температуры, для которой построена изотерма. [39]
При выпаривании раствора происходит его пересыщение и кристаллизация компонентов, сопровождающаяся образованием их смеси. [40]
Исходное стекло состава М лежит в поле кристаллизации компонента В. [41]
Исходное стекло состава N лежит в поле кристаллизации компонента А. [42]
Кристаллизаторы депарафинизационных установок предназначены для проведения процесса кристаллизации компонентов масляных фракций из охлажденных растворов ( рафинатов и га-чей) в избирательных полярных и неполярных растворителях при прохождении через них с различными скоростями. Для получения и роста кристаллов необходимо обеспечить перемешивание раствора и оптимальный тепловой и гидродинамический режим. Перемешивание и охлаждение раствора улучшает диффузию кристаллизующегося вещества к поверхности кристалла и ускоряет его рост. Одновременно с этим происходит выравнивание температуры раствора в объеме и на поверхностях охлаждения. Ввиду более низкой температуры поверхностей охлаждения на них усиленно идет зародышеобразование и рост кристаллов, которые снижают эффективность теплообмена. Образующиеся отложения кристаллов на внутренних поверхностях трубчатых теплопередающих устройств снимают скребковыми устройствами, вращающимися внутри труб с небольшой частотой. [43]
Существует два способа совместной кристаллизации компонента В при кристаллизации компонента А. Во-первых, атомы или молекулы растворяемого элемента могут размещаться в пустых местах решетки между ее узлами. Подобные системы называются твердыми растворами внедрения. Они могут образоваться лишь при условии, что атомы растворяемого элемента невелики. Так, в сплавах металлов размер растворяемого атома обычно не превышает 0 6 размера атома растворяющего металла. По мере накопления внедряемого вещества устойчивость решетки растворителя уменьшается. [44]
На участке 4 - 5 в системе продолжается кристаллизация компонента А и каждой температуре соответствует определенный состав насыщенного расплава, который постепенно меняется до эвтектического. Расплав, соответствующий точке 5, становится насыщенным относительно обоих компонентов ( точка Е на диаграмме), начинается кристаллизация эвтектики, состоящей из кристаллов компонентов А и В. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5