Кристаллизация - компонент
Cтраница 4
Существует два способа совместной кристаллизации компонента В при кристаллизации компонента А. Во-первых, атомы или молекулы растворяемого элемента могут размещаться в пустых местах решетки между ее узлами. Подобные системы называются твердыми растворами внедрения. Они могут образоваться лишь при условии, что атомы растворяемого элемента невелики. Так, в сплавах металлов размер растворяемого атома обычно не превышает 0 6 размера атома растворяющего металла. По мере накопления внедряемого вещества устойчивость решетки растворителя уменьшается. [46]
 |
Схема установки концентрирования растворов вымораживанием под вакуумом. [47] |
Процесс концентрирования в испарительных установках может осуществляться без кристаллизации компонентов раствора и с кристаллизацией. [48]
 |
Диаграмма состояния трехкомпонентной системы с эвтектикой. Пути кристаллизации в системе. [49] |
Когда точка заданного состава будет лежать в поле кристаллизации компонента А, но несколько выше точки т ( например, точка л), в качестве вторичной кристаллической фазы выделятся не кристаллы С, а фаза В, если путь кристаллизации попадет на пограничную кривую EiE. [50]
Другой диагональный разрез АХ-BY пересекает, кроме полей кристаллизации компонентов АХ и BY, поле продукта их обмена - ВХ. Сплавы, находящиеся на ней, застывают в смесь трех компонентов. [51]
А, а на отрезке / - 2 возможна кристаллизация компонента А при условии внесения его затравки. В области 1 - / - 2 - / раствор пересыщен относительно обоих компонентов. В точке 2 ( назовем ее сверхэвтонической точкой) возможна спонтанная кристаллизация обоих компонентов. [52]
Кривые кристаллизации бинарных систем делят поверхность насыщения на поля кристаллизации компонентов А, В и С ( соответственно аЕ ЕЕ, ЪЕ ЕЕъ и сЕ % ЕЕ3), над которыми находится жидкая фаза. [53]
 |
Диаграмма состояния конгруэнтно плавящегося соединения с ограниченными твердыми растворами.| Диаграмма состояния инконгруэнтно плавящегося соединения с ограниченными твердыми растворами. [54] |
Линия ликвидуса состоит из трех участков, соответствующих началу кристаллизации компонентов и соединения. [55]
 |
Графические построения на ортогональных проекциях на три координатные плоскости прямоугольного ( неправильного тетраэдра. [56] |
Линий ограничивают на каждой координатной плоскости проекций трех полей кристаллизации компонентов Л, В и С. [57]
Тепла за счет теплообмена С внешней средой компенсируется теплотой кристаллизации компонента А. [58]
Поверхность ликвидуса ( рис. 126) состоит из полей кристаллизации компонентов. [59]
Линия ликвидуса состоит из трех участков, соответствующих началу кристаллизации компонента A ( TAEi), соединения АтВпХ X ( EiTAmBn E2) и компонента В ( ГВ. Солидус представлен ломаной линией ГАт Гд в рцТъ - Если на диаграмме состояния соединению отвечает явный максимум, соединение существует вплоть до температуры плавления. При этом составы твердой и жидкой фаз в точке плавления соединения совпадают. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5