Кристаллизация - система
Cтраница 1
Кристаллизация системы, содержащей 75 % Pt, начинается при 1925 К, а заканчивается при 1688 К. Составы сосуществующих фаз определим по точкам пересечения изотермы с кривыми NmM и NkM. [1]
Кристаллизация системы, содержащей 75 % Pt, начинается при температуре 1925 К. [2]
 |
Изображение перехода струя - волокно как бифуркация в диссипативной. [3] |
Кристаллизация предварительно растянутой системы макромолекул уже сама по себе должна приводить к образованию КВЦ. [4]
При кристаллизации системы CH3CONH2 - Br2 выделить образующийся в растворе комплекс не удается. Возможно, что эти компоненты не образуют кристаллического соединения. [5]
Поверхность кристаллизации системы ( рис. 31) состоит из полей компонентов. [6]
Поверхность кристаллизации системы ( рис. 281) состоит из полей: KF, NaF и поля непрерывного ряда твердых растворов. [7]
Поверхность кристаллизации системы включает поля компонентов и соединений ЗТ1С1 РЬС. [8]
Ход кристаллизации системы зависит от состава исходной жидкости. Жидкость состава х начинает кристаллизоваться при температуре, определяемой точкой /, выделяя кристаллическую фазу состава а. Состав жидкости изменяется по кривой ликвидуса от точки / до эвтектической точки Е, а состав твердых растворов а по линии солидуса от точки а до G. В тот момент, когда жидкость достигнет эвтектических состава и температуры ( точка Е), происходит одновременная кристаллизация двух твердых фаз - аир. [9]
 |
Расположение исследованных сплавов в тройной системе. [10] |
Поверхность кристаллизации системы состоит из пяти полей первичной кристаллизации следующих компонентов: К. [11]
 |
Схематическое изображение зависимостей длины от температуры для идеализированного гомогенного волокна / / ( а и для не гомогенного волокна ( б. [12] |
Плавление и кристаллизация ориентированных систем наблюдается также и для случая, когда такие системы находятся в контакте с чистым растворителем или раствором, содержащим низкомолекулярные компоненты. [13]
 |
Скорость роста сферических. [14] |
Суммарный процесс кристаллизации системы становится энергетически выгодным лишь в том случае, если убыль Z при втором процессе превышает приращение Z при первом процессе. Такое состояние реализуется в момент, когда зародышевые центры, возникающие благодаря флуктуацйям, достигают некоторого предельного ( критического) для данных условий размера гкр. Поэтому кристаллизация стекла никогда не происходит одновременно во всем объеме, а начинается из рассеянных центров. [15]
Страницы: 1 2 3 4