Кристаллизация - алмаз
Cтраница 1
Кристаллизация алмаза из пересыщенного раствора углерода в расплаве металла, очевидно, обладает еще и той особенностью, что нарушение гидростатичности и заметное падение давления в среде, окружающей алмаз, наступает при размерах алмазной фазы, заметно превышающих размеры кристаллов алмаза, образующихся при прямом превращении. Другими словами, при кристаллизации алмаза из пересыщенного раствора углерода с использованием в качестве источника углерода графита устойчивому положению равновесия отвечает кристалл большего размера. [1]
Кристаллизацию алмаза и графита нельзя рассматривать как независимые процессы, поскольку само явление образования новой фазы происходит на одной и той же поверхности и из одного и того же газа. [2]
В процессе кристаллизации алмазов на значительной глубине и затем выносе их в верхние зоны из-за резкого падения окружающего давления и температур кристаллы претерпевают пластические деформации. В результате в кристаллах образуются внутренние напряженные зоны. [3]
Непосредственно в изучении кристаллизации алмаза из газовой фазы усилия исследователей будут направлены на разработку более общей теории совместной кристаллизации алмаза и графита с целью выбооа условий для предотвращения выделения последнего. [4]
При рассмотрении механизма кристаллизации алмаза в системе металл - углерод отмечалось, что движущей силой процесса роста является пересыщение углерода в расплавленном металле по отношению к алмазу. Поскольку пересыщение есть разность растворимостей источника питающего вещества и выращиваемого кристалла, для случая синтеза алмаза в системе металл - графит имеем следующие особенности. При использовании в качестве источника углерода графита для выращивания алмаза на затравку положительная разница между растворимостью графита и алмаза достигается даже в изобарно-изотермических условиях при условии их нахождения в области термодинамической стабильности алмаза. При этом реализуется пересыщение, величина которого целиком определяется р - Г - условиями, а точнее, степенью их отличия от равновесных для графита и алмаза значений этих параметров. [5]
При рассмотрении механизма кристаллизации алмаза в системе металл - углерод отмечалось, что движущей силой процесса роста является пересыщение углерода в расплавленном металле по отношению к алмазу. Поскольку пересыщение есть разность растворимостей источника питающего вещества и выращиваемого кристалла, для случая синтеза алмаза в системе металл - графит имеем следующие особенности. При использовании в качестве источника углерода графита для выращивания алмаза на затравку положительная разница между растворимостью графита и алмаза достигается даже в изобарно-изотермических условиях при условии их нахождения в области термодинамической стабильности алмаза. При этом реализуется пересыщение, величина которого целиком определяется р - Г - условиями, а точнее, степенью их отличия от равновесных для графита и алмаза значений этих параметров. [6]
Рассматривая влияние химизма среды на процессы кристаллизации алмаза, особое внимание следует уделить воздействию азота - основной структурой примеси в алмазе. Выявить механизм этого влияния на зарождение и рост кристаллов и оценить его количественно позволяют эксперименты по синтезу в системе, обогащенной соединениями азота. [7]
В этой связи заслуживают внимания исследования процесса кристаллизации алмаза, проводимые в присутствии металлов, слабо взаимодействующих с углеродом. [8]
В этой связи заслуживают внимания исследования процесса кристаллизации алмаза, проводимые в присутствии металлов, слабо взаимодействующих с углеродом. [9]
Последнее обстоятельство указывает на целесообразность изучения влияния на кристаллизацию алмаза азота лишь при контролируемом его введении в систему в виде соединений, обладающих высокой энергией связи, стехиометрия которых соответствует формульному выражению. [10]
В целом сравнительный анализ дефектности кристаллов различного генезиса позволяет выявить довольно общую зависимость между концентрацией структурных несовершенств и скоростью кристаллизации алмаза. Указанная закономерность весьма четко проявляется в ряду алмазов, кристаллизованных в природных, статических и динамических условиях. [11]
 |
Схема нагрева и управления тепловым режимом синтеза с использованием системы высокочастотного регулятора. [12] |
Интенсивный теплообмен реакционного объема с материалом контейнера и деталями камеры и изменение его тепло - и электрофизических характеристик в процессе кристаллизации алмаза определяют тепловой режим синтеза. Поэтому важнейшими функциями системы терморегулирования являются эффективный контроль за температурным режимом в труднодоступной рабочей зоне и регулирование выбранного электрического параметра с высокой точностью посредством программного управления. Малая инерционность внутреннего электронагревателя камеры синтеза требует применения быстродействующих устройств, не содержащих подвижных и релейных элементов. Указанным требованиям отвечают как системы, использующиеся в качестве терморегулятора многоцелевого назначения, например, высокоточный регулятор температуры ( ВРТ), так и специализированные устройства для управления режимом синтеза сверхтвердых материалов. При этом чаще всего в качестве регулируемого параметра выбирается электрическая мощность, однако в ряде случаев терморегулирование ведут по величинам тока или напряжения, подаваемого к нагревателю камеры синтеза. [13]
Сравнение зависимости ( 60) с экспериментальными результатами ( рис. 124) свидетельствует об их хорошем соответствии и оправданности использования предложенной модели кристаллизации алмаза на этапе стационарного роста. Кроме того, полу - - ченное соотношение, связывающее величину характерного размера кристалла и длительность кристаллизации, имеет важное прикладное значение, так как позволяет выбирать оптимальное время выращивания в зависимости от поставленных целей. [14]
 |
Графики температурных зависимостей растворимости углерода.| Влияние концентрации сурьмы на абсолютное пересыщение углерода по отношению к алмазу в системе Ni-Мп. [15] |
Страницы: 1 2 3 4