Спонтанная кристаллизация

Cтраница 1

Иногда спонтанная кристаллизация не начинается даже при большом переохлаждении. Этот кристаллик иногда называют затравкой. [1]

Истинно спонтанная кристаллизация хиральных кристаллов или молекул, как и падение монеты после подбрасывания, должка приводить к правоориентированной фэрме так же часто, как и к левоориентированной, если число опытов велико. Однако, как было показано для некоторых систем [9], если оставить растворы открытыми на воздухе, может произойти случайное внесение затравки. В 52 5 % случаев из 200 опытов наблюдалось выделение R - энантиомера. [2]

На спонтанной кристаллизации основан первый метод Пасте-ра разделения рацематов. [3]

Схема установки для выра. ш. вания монокристаллов ферритов из растворов-расплавов. [4]

Методика спонтанной кристаллизации из бор-бариевых растворов-расплавов аналогична описанным выше. [5]

Возможность спонтанной кристаллизации также показана в работах Тинга и Мак-Кейба [29], которые изучали кристаллизацию сульфатов магния и меди в присутствии затравочных кристаллов. [6]

Разрушение паровым пузырем двойного электрического слоя поверхности нагрева. [7]

Интенсивность спонтанной кристаллизации возрастает с увеличением температуры. Поэтому вполне обосновано, что на поверхности нагрева, где самая высокая температура, быстрее всего возникают устойчивые зародыши, которые при создавшемся вокруг контактного пятна пересыщении являются центрами кристаллизации. [8]

На спонтанной кристаллизации основан первый метод Пасте-ра разделения рацематов. [9]

Метод спонтанной кристаллизации фторфлогопита из расплава обладает одним существенным недостатком: не позволяет воспроизводимо получать пластины слюды достаточно крупного размера. [10]

Возникновение центров спонтанной кристаллизации в сложных стеклах автор связывает с диффузионной химической дифференциацией атомов и структурных групп, образующих скопления в виде областей, состав которых близок к составу выделяющихся кристаллов. Возможны два механизма кристаллизации многокомпонентных стекол: с предкристаллизационной метастабильной ликвацией и без нее. В первом случае в процессе расслоения благодаря образованию аморфных центров критических размеров, способных к дальнейшему росту, образуются метастабильные стеклообразные микрообласти с составом будущих кристаллов. Эти области затем быстро упорядочиваются и кристаллизуются. Во втором случае флуктуационно возникающие благодаря росту термодинамического потенциала микрообласти с составом будущих кристаллов устойчиво не существуют и могут рассасываться, если не имеет место их упорядочение. Образование этих областей происходит фактически одновременно с их кристаллизацией. Формула ( 26) описывает вероятные результаты этих двух сложных кооперативных процессов. Начальные или зародышевые стадии кристаллизации имеют важное значение для ситаллизации стекол. Число центров, равномерно образующихся во всем объеме стекла при его низкотемпературной обработке и определяющих число будущих микрокристаллов, должно быть велико и составлять 1012 см-3 или больше. [11]

Хотя при спонтанной кристаллизации из свинцовых растворов-расплавов получены монокристаллы ферритов с высокими магнитными характеристиками, этот метод выращивания не удовлетворяет в полной мере техническим требованиям к монокристаллам в основном из-за плохой воспроизводимости свойств. Особенно большие трудности возникают при получении монокристаллов твердых растворов ферритов, например иттрий-гал-лиевого, кальций-висмут-ванадиевого феррогранатов, с достаточно высокой однородностью их свойств по объему. Совершенствование метода спонтанной кристаллизации возможно при создании условий выращивания с ограниченным числом центров кристаллизации и их локализацией в определенном месте кристаллизатора. [12]

В теориях спонтанной кристаллизации процесс образования и роста кристалла из пересыщенного раствора какого-либо одного вещества рассматривается как процесс, протекающий длительно. В случае же коллоидных систем возникновение коллоидных частиц происходит из сильно перенасыщенных растворов, образующихся в результате химического взаимодействия двух или более компонентов, причем сразу возникает множество мелких частиц. Поэтому существующие теории кристаллизации не могут быть непосредственно применены при изучении образования коллоидных частиц. [13]

Изучены условия спонтанной кристаллизации GaAs из газовой фазы на неориентируемых частях поверхности реакционной камеры. [14]

Сдвиг линий на рентгенограммах стекол составов 2 - 7 бинарного разреза 2ZnO - Si02 - K20 - A1303 - 4Si02 ( 1.| Зависимость интенсивности флуоресценции иона Mn2 j от состава. [15]

Страницы: 1 2 3 4