Cтраница 2
В резервуаре начальные условия, для которых вычисляется средняя теплоемкость двухфазной системы, определяются массовыми или объемными долями фаз. [16]
Если принять, что выделения имеют какую-то определенную геометрическую форму, то их размер и среднее расстояние между ними связаны величиной объемной доли выделившейся фазы. [17]
На примере сплава WC Co результаты анализа показали, что наблюдается хорошая корреляция данных в методиках определения весового состава Со на энергодисперсионном микроанализаторе и эффективного статистического экспресс-анализа объемной доли фазы Со, полученного с помощью оптической системы цифрового анализа изображений. [18]
СВДС, в которых в той или иной последовательности или одновременно проявляются все виды рассмотренных выше контактов как следствие непрерывного изменения состава, структуры, свойств ДФ и объемной доли фаз, происходящего в условиях изменения температуры, давления, скорости потоков и других внешних энергетических воздействий. [19]
Если определить объемную долю фазы РФ в рассматриваемом сечении потока, как это видно из (VI.1), не представляет затруднений, поскольку всегда можно установить Q и QCH по заданным параметрам потока, то определить истинную объемную долю фазы фф в потоке сложно. [20]
Связь между Sk и ek для двух значений объемной доли фазы и двух значений предела текучести тт схематически представлена на рис. 5.5. Эта схема является диаграммой растяжения с осями напряжение - деформация, на которую нанесены линии, соответствующие разным объемным долям фазы. [21]
Механические характеристики эвтектических композиций таковы, что их прочность в большой степени зависит от объемной доли и свойств направленно расположенной упрочняющей фазы в непрерывной металлической матрице, служащей средой для передачи нагрузки и обеспечивающей вязкость. Следовательно, необходимы сведения об объемных долях фаз. [22]
![]() |
Зависимость спектра фотолюминесценции пленок Si. Н от напряжения высокочастотного тлеющего разряда, В. 1 - 250 ( a - Si. Н. 2 - 350 ( a - Si. Н. 3 - 370 ( мк - Si. Н. [23] |
Структура пленок Si: Н остается аморфной вплоть до 350 В, а по достижении 370 В пленки Si: Н становятся смешанными аморфно-кристаллическими. С увеличением ВЧЭН, т.е. с ростом объемной доли микрокристаллической фазы ( Хс) интенсивность фотолюминесценции падает. Известно, что квантовый выход фотолюминесцентного излучения в пленках a - Si: Н гораздо выше, чем в кристаллическом кремнии. [24]
![]() |
Зависимость спектра фотолюминесценции пленок Si. Н от напряжения высокочастотного тлеющего разряда, В. 1 - 250 ( a - Si. Н. 2 - 350 ( a - Si. Н. 3 - 370 ( мк - Si. Н. [25] |
Структура пленок Si: Н остается аморфной вплоть до 350 В, а по достижении 370 В пленки Si: Н становятся смешанными аморфно-кристаллическими. С увеличением ВЧЭН, т.е. с ростом объемной доли микрокристаллической фазы ( Хс) интенсивность фотолюминесценции падает. Известно, что квантовый выход фотолюминесцентного излучения в пленках a - Si: Н гораздо выше, чем в кристаллическом кремнии. [26]
Величина средней объемной концентрации фазы представляет часть объема или площади поперечного сечения, занимаемую определенной фазой. Следует отметить, что существуют различия между реальной объемной долей фазы и объемной долей, рассчитанной на основе долей объемного расхода; это происходит из-за различия в скоростях соответствующих фаз. Информация о концентрации фаз очень важна для расчета требующихся материалов с точки зрения экономики и безопасности эксплуатации. Более того, информация о концентрации фаз ( как будет видно позже) важна для расчета перепадов давления; в системах ядерных реакторов, содержащих парожидкостные смеси, концентрация фаз ( истинное объемное паросодержание) приобретает ключевое значение при определении степени поглощения нейтронов и, следовательно, реактивности системы. [27]
Выражения ( 3.3 - 3.5) связаны только со свойствами и объемными долями фаз. [28]
Выражения ( 3.3 - 3.5) связаны только со свойствами и объемными долями фаз. [29]
Но схема с чисто параллельным включением компонент не может объяснить очень большие изменения модуля при частичном плавлении и рекристаллизации. Если такие фазовые переходы ограничиваются матричным материалом, то, согласно рассматриваемой модели, результирующие изменения модуля упругости могут быть пропорциональными объемным долям фаз, участвующим в соответствующем переходе. Но этим нельзя объяснить более, чем десятикратное, изменение модуля упругости. Высокая чувствительность общего модуля упругости к изменению доли и жесткости матричного материала требует отойти от модели с чисто параллельным вкладом ( а, следовательно, и от схемы однородной деформации) компонентов композиции в общий модуль упругости образца. [30]