Cтраница 3
При образовании данным атомом связи любого вида электроны, слабее связанные с атомом, легче передаются им на образование связи. В соответствии с этим образование связи с помощью р-электронов сопровождается, при прочих равных условиях, обычно большим выделением энергии, чем образование подобной же связи с помощью s - электронов того же энергетического уровня. [31]
Итак, если данный атом образует и а - и л-связи, то в образовании я-связей участвуют негибридные облака этого атома, а остальные гибридизуются. [32]
Оже-спектр углерода.| Оже-спектр цезия ( мишень Csl. [33] |
Энергия оже-пика характеризует данный атом, поэтому анализ спектров оже-электронов позволяет получить информацию о составе приповерхностной области твердого тела, откуда происходит ЭОЭ. Средняя длина свободного пробега электронов с такими же энергиями составляет 0 5 - 2 нм, так что спектры оже-электронов отражают свойства приповерхностного слоя толщиной до пяти монослоев. Амплитуда оже-пика пропорциональна концентрации атомов данного сорта на поверхности твердого тела и эффективности оже-переходов, которая характеризуется величиной, называемой оже-чувстви-тельностью. Она определяется числом вторичных оже-электронов с данной энергией, испущенных данным элементом, в расчете на число первичных электронов и зависит от энергии первичных электронов. Анализ спектров оже-электронов лежит в основе электронной оже-спектроскопии ( ЭОС) - основного метода изучения состава поверхности твердых тел. [34]
Правило Юм-Розери. [35] |
Число валентных электронов данного атома принимается равным номеру группы, в которой он находится, а для элементов группы VIII считается равным нулю. [36]
Чем больше электроотрицательность данного атома, тем более он способен присоединять электронную пару, что определяет величину - / - эффекта. И наоборот, чем больше электроотрицательность элемента, тем меньше его стремление к отдаче электронной пары и тем менее выраженным является - f - - эффект, который способен вызывать этот элемент; ряд ( д) иллюстрирует такой вывод. [37]
Если пренебречь взаимодействием данного атома со всеми атомами, за исключением соседних, отношение В / А становится равным отношению числа ближайших соседей атома, находящегося на поверхности, к числу ближайших соседей атома, находящегося внутри кристалла. [38]
Знак вклада каждого данного атома в точке Р ( xyz) в аномальную вращательную дисперсию должен определяться z - как простое произведение xyz его координат. [39]
Чтобы построить для данного атома картину расположения его соседей, представим себе, что из центра атома распространяется сферическая волна. В момент, когда она достигает центров тяжести первых соседей, фиксируется их положение и количество на сфере. [40]
В образовании связей данного атома могут участвовать не все электроны внешней оболочки атома, иначе говоря, валентные электроны. Эти электроны связаны тем в меньшей степени, чем менее электроотрицателен данный атом. [41]
Изменение энергетического спектра данного атома мы объясняем воздействием на него электрического и магнитного поля других атомов. Поэтому, для того чтобы определить это изменение в общих чертах, следует выяснить, какие изменения в спектре состояний атома могут быть вызваны внешними ( однородными) полями. Энергия каждого электрона, связанного в атоме, изменится на некоторую величину од. Для внутренних электронов, у которых энергия связи Ц7 очень велика, дополнительная энергия ы будет значительно меньше № 7 и поэтому изменением уровней энергии внутренних электронов можно пренебречь. У внешних электронов энергия связи М7 значительно меньше и поэтому добавление да может заметно изменить их состояние. [42]
Знак вклада каждого данного атома в точке Р ( xyz) в аномальную вращательную дисперсию должен определяться z - как простое произведение xyz его координат. [43]
В, для данного атома различна для разных / Подход Саймонса привлекателен прежде всего тем, что он приводит к точному решению уравнения ( 6) и позволяет получить целый спектр возбуждений валентного электрона. II, приводит к существенной ошибке при расчете спектров возбуждения. [44]
Эффективные заряды гэф катионов в некоторых ионных кристаллах. [45] |