Цилиндрический магнитный домен - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Поосторожней с алкоголем. Он может сделать так, что ты замахнешься на фининспектора и промажешь. Законы Мерфи (еще...)

Цилиндрический магнитный домен

Cтраница 1


1 Неелевский тип граничного слоя между доменами в тонких пленкач. [1]

Цилиндрические магнитные домены ( ЦМД) возникают при определенных условиях в монокристаллических пластинках или пленках некоторых ферритов. Впервые ЦМД изучались в веществах с общей химической формулой RFeOs, где R - редкоземельный элемент, а также близкий им по свойствам иттрий. Такие соединения, обладающие орторомбической кристаллической структурой типа перовскита, называют ортоферритами.  [2]

Цилиндрические магнитные домены ( ЦМД), физика образования которых была изложена в § 1.4, используют для создания как запоминающих, так и логических устройств. При этом значению 1 соответствует наличие домена в определенной точке информационной среды, а значению О - его отсутствие.  [3]

4 Примеры формирования доменных структур заданной конфигурации. [4]

Цилиндрические магнитные домены обладают многими свойствами постоянных магнитов и, в частности, могут свободно перемещаться в пределах пленки и взаимодействовать между собой как постоянные магниты. Если стороннее поле строго равномерно, то цилиндрические домены, взаимно отталкиваясь, равномерно распределяются в пределах пленки. При этом минимальное расстояние между соседними доменами составляет 3 - 4 их диаметра. Если стороннее поле имеет сгущения, то в местах сгущений концентрация доменов уменьшается.  [5]

6 Доменная структура в тонкой пластинке ортофер. [6]

Цилиндрические магнитные домены ( ЦМД) возникают при определенных условиях в тонких монокристаллических пластинках или пленках некоторых ферритов, обладающих сильной одноосной перпендикулярной анизотропией.  [7]

Цилиндрические магнитные домены ( ЦМД) используют для создания как запоминающих, так и логических устройств. При этом значению Ь соответствует наличие домена в определенной точке информационной среды, а значению О - его отсутствие.  [8]

Цилиндрические магнитные домены ( ЦМД), которые существуют в тонких пластинах или пленках некоторых ферритов, представляют собой малые области с намагниченностью, направленной противоположно намагниченности окружающей среды. Такие домены можно рассматривать как элементарные носители информации, а наличие или отсутствие их в данных участках пленки использовать для записи информации в двоичной форме. Применение ЦМД для записи и обработки информации требует возможности управления доменной структурой. Такая возможность существует, и вытекает она непосредственно из физических свойств ЦМД.  [9]

10 Закритическая петля гистерезиса. [10]

Цилиндрические магнитные домены ( ЦМД), или ( как их иногда называют) магнитные пузырьки, возникают при определенных условиях в монокристаллических пластинках или пленках некоторых ферритов. Впервые ЦМД изучались в веществах с общей химической формулой RFeO3, где R - редкоземельный элемент или же близкий к РЗМ иттрий. Эти соединения называют ортоферритами.  [11]

Цилиндрические магнитные домены обладают рядом особенностей отличающих их от полосовых ( stripe) доменов. Основная особенность заключается в том, что доменная граница, ограничивающая ЦМД, не является плоской. Подобная кривизна имеет большое значение для возможности существования и стабильности уединенного домена. ЦМД существует только при условии отличия от нуля магнитного давления на доменную границу.  [12]

13 Неелевский тип граничного слоя между доменами в тонких пленках.| Полосовая доменная структура. [13]

Цилиндрические магнитные домены ( ЦМД) возникают при определенных условиях в монокристаллических пластинках или пленках некоторых ферритов. Впервые ЦМД изучались в веществах с общей химической формулой RFeO, где R - редкоземельный элемент, а также близкий им по свойствам иттрий. Такие соединения, обладающие орторомбической кристаллической структурой типа перовскита, называют ортоферритами.  [14]

Цилиндрические магнитные домены ( ЦМД), физика образования которых была изложена в § 1.4, используют для создания как запоминающих, так и логических устройств. При этом значению 1 соответствует наличие домена в определенной точке информационной среды, а значению О - его отсутствие.  [15]



Страницы:      1    2    3    4