Цилиндрический магнитный домен

Cтраница 2

Неелевский тип граничного слоя между доменами. в тонких пленках.| ПЬлосовая доменная структура. [16]

Цилиндрические магнитные домены ( ЦМД) возникают при определенных условиях в монокристаллических пластинках или пленках некоторых ферритов. Впервые ЦМД изучались в веществах с общей химической формулой RFeO3, где R - редкоземельный элемент, а также близкий им по свойствам иттрий. Такие соединения, обладающие орторомбической кристаллической структурой типа перовскита, называют ортоферритами. [17]

Цилиндрические магнитные домены ( ЦМД), физика образования которых была изложена в § 1.4, используют для создания как запоминающих, так и логических устройств. При этом значению 1 соответствует наличие домена в определенной точке информационной среды, а значению О - его отсутствие. [18]

Параметры некоторых ортоферритов. [19]

Уменьшение диаметра цилиндрических магнитных доменов может быть достигнуто применением материалов с более низкими ovp и ( или) более высокими индукциями насыщения. [20]

Память на цилиндрических магнитных доменах представляет собой энергонезависимую полупроводниковую запоминающую среду с цилиндрическими магнитными доменами ( ЦМД), распределенными в магнитной гранатовой пленке. Данные вдвигаются в память и выдвигаются из нее в последовательной форме и непрерывно перемещаются по кольцам внутри гранатовой пленки под действием вращающегося магнитного поля. Емкость современных ЗУ на ЦМД составляет около 4 Мбит, но в разработке находятся устройства, имеющие емкость 16 и 64 Мбит. [21]

Это ЗУ состоит из микроскопических цилиндрических магнитных доменов ( ЦМД) на тонкой кристаллической магнитной пленке. ЗУ на ЦМД отличается высокой плотностью записи информации и возможностью ее произвольной адресации. Однако технология изготовления таких ЗУ еще только развивается, и по стоимости они пока не выдерживают конкуренции с другими способами хранения информации. [22]

Цилиндрически магнитные домены в пленке из граната, стабилизированные внешним магнитным полем смещения. [23]

Перспективными являются ЗУ на цилиндрических магнитных доменах ( ЦМД ЗУ), имеющих исключительно высокую информационную емкость. [24]

Сборник содержит статьи по физике цилиндрических магнитных доменов ( ЦМД), материалам для доменных и магнитооптических устройств, теории и принципам построения отдельных элементов ЦМД-устройств и результатам разработки запоминающих и логических доменных и магнитооптических устройств. [25]

С экспериментальным обнаружением так называемых цилиндрических магнитных доменов связан новый этап развития физики доменных структур. Если интерес к исследованию доменных структур ранее был стимулирован в основном практическим применением магнитных материалов, необходимые магнитные свойства которых в той или иной мере обусловливались доменной структурой, то новый бурный рост исследований свойств этой структуры был связан с возможностью ее непосредственного использования в технических устройствах. [26]

Схемы всех ЦМД-устройств основаны на движении цилиндрических магнитных доменов вдоль магнитной пленки. Однако высокая подвижность ЦМД реализуется только в пленках высокого качества. Дефекты, плоские ( например, границы кристаллических зерен) и линейные ( например, дислокации), приводят к торможению и захвату ЦМД. Поэтому в качестве магнитных пленок-носителей ЦМД следует использовать монокристаллические пленки, не имеющие границ зерен и содержащие не более десяти дислокаций на квадратный сантиметр. Толщина пленки не должна превышать 10 мкм. Естественно, что подобные магнитные пленки не могут быть использованы сами по себе из-за их механической неустойчивости. Их выращивают на немагнитных подложках с такой же кристаллической решеткой. В настоящее время создана и надежно работает технологическая схема создания запоминающих устройств на ЦМД, которая включает следующие элементы. [27]

Перейдем теперь к рассмотрению структур с цилиндрическими магнитными доменами ( ЦМД), Как уже отмечалось выше, в пластинке с перпендикулярной легкой осью анизотропии при / ( L / 2n / s 1 намагниченность в отдельных доменах ориентирована перпендикулярно поверхностям пластинки, вдоль легкой оси. При наложении внешнего магнитного поля, перпендикулярного поверхности пластинки, образец должен намагнититься до насыщения в одном направлении. При дальнейшем повышении величины поля существует область устойчивости ЦМД, в которой радиус сравнительно слабо зависит от величины поля, и, наконец, при достижении некоторого критического значения поля Hk домены необратимо коллапсируют за очень малый промежуток времени, определяемый подвижностью границы, и пластинка намагничивается до насыщения. [28]

Микросхемы представляют собой запоминающее устройство на цилиндрических магнитных доменах ( ЦМД) с информационными емкостями соответственно 266 5 кбит ( 1025 словх260р), 133 25 кбит ( 1025x130) И 65 6 кбит ( 1025x64) и предназначены для построения энергонезависимых систем внешней и встраиваемой памяти мини - и микро - ЭВМ и различных микропроцессорных устройств. Имеют последовательно-параллельную организацию и включают замкнутые регистры, в которых хранится и циклически перемещается в режиме обращения к ЗУ закодированная информация; раздельные регистры, для ввода и вывода данных. [29]

Альтернативой магнитных накопителей считается устройство на цилиндрических магнитных доменах ( ЦМД) и приборах с зарядовой связью ( ПЗС), однако их широкое применение пока сдерживается высокой стоимостью и сложной технологией изготовления. [30]

Страницы: 1 2 3 4