Новый домен

Cтраница 3

Если распад домена вызван шумовыми флюктуациями, происходящими в различные моменты времени и в различных местах кристалла, то образование новых доменов будет происходить беспорядочно в различных циклах и это приведет к колебаниям с очень плохой когерентностью, что не соответствует экспериментальным данным на ряде приборов. Макроскопические неоднородности, а также неоднородности контактов, казалось бы, должны приводить к асимметрии и изменению режима работы прибора при изменении полярности приложенного напряжения. Несмотря на то, что макроскопические неоднородности, безусловно, могут оказывать влияние на работу прибора, они не являются универсальным средством для изменения режима с обогащенным слоем на дипольный режим. [31]

Приведите пример тернарного отношения ( в математическом смысле), которое не может быть представлено как конъюнкция бинарных отношений без введения новых доменов. [32]

Во время первой фазы домен с большей напряженностью поля находится в области с отрицательной проводимостью и поэтому возможен его распад ( возникновение новых доменов), если в образце существует шум или внутренние неоднородности. [33]

Если напряжение диода стало ниже порогового в момент времени, когда домен уже достиг анодного контакта, то происходит задержи; появления нового домена. Частота пульсаций тока уменьшится. Если установилось напряжение Uu ниже порогового во время дрейфа домена внутри объема образца, то возникает преждевременный срыв домена, а частота пульсаций тока увеличивается. Таким образом, частота повторения импульсов приближается к частоте переменного напряжения колебательной системы. Собственная частота резонатора и частота генерации может быть как выше, так и ниже частоты пульсаций тока, характерной для пролетного режима. В первом случае возникает режим с подавлением домена, во втором случае - режим с задержкой домена. [34]

Наблюдается чрезвычайно легкая механическая перестройка доменных структур, происходящая как за счет движения доменных границ всех трех типов, так и за счет возникновения новых доменов, Было обращено внимание на то, что характер переключения и конечный результат перестройки связаны со степенью о дноро / щости внешних напряжений. [35]

Временные зависимости напряжения и тока на ГПЭ, . находящегося в щысокодобротном резонаторе. [36]

ГПЭ не зависит от напряжения на нем, по выходе домена из кристалла ток примерно пропорционален напряжению до тех пор, пока напряжение на приборе не достигнет критического и не образуется новый домен. [37]

Новый домен можно создать на основе уже созданного пользователем домена либо на основе изначально существующего. Новый домен наследует все свойства родительского домена. [38]

Между соседними доменами с различными направлениями намагниченности имеются переходные слои, называемые границами, или с т е i к а м и доменов, в которых происходит постепенный поворот вектора намагниченности от одного направления к другому. Процесс сбразования новых доменов в отсутствие внешнего поля способствует созданию структуры, в которой магнитные потоки замыкаются внуфй образца, и поэтому сопровождается уменьшением маг-нитостатической энергии. Однако этот процесс может продолжаться лишь до тех пор, пока уменьшение магнитостатической энергии покрывае возрастающую энергию, необходимую для создания в образце доменных стенок и пропорциональную общей площади стенок. Поэтому для весьма мелких частиц и очень тонких слоев ферромагнетике энергетически выгодной может оказаться однодоменная структура, если размер частицы или толщина слоя ниже некоторой критической величины ( такие магнитные элементы рассмотрены в гл. [39]

Между соседними доменами с различными направлениями намагниченности имеются переходные слои, называемые границами, или стенками доменов, в которых происходит постепенный поворот вектора намагниченности от одного направления к другому. Процесс образования новых доменов в отсутствие внешнего поля способствует созданию структуры, в которой магнитные потоки замыкаются внутри образца, и поэтому сопровождается уменьшением маг-нитостатической энергии. Поэтому для весьма мелких частиц и очень тонких слоев ферромагнетика энергетически выгодной может оказаться од подсменная структура, если размер частицы или толщина слоя ниже некоторой критической величины ( такие магнитные элементы рассмотрены в гл. [40]

Форма колебаний тока / ( ( в случае эффекта Ганна.| Разделение зарядок при разиитии неустойчивости и образовании домена. Электроны движутся против ноля Е. [41]

В конце концов образуется стационарный электрич. Енр, благодаря чему новые домены по образуются. [42]

В течение времени TL / v0 домен дрейфует через объем полупроводника и ток через диод не изменяется. Епор - У катода образуется новый домен и цикл повторяется. Таким образом, диод Ганна может быть использован в качестве генератора. [43]

Температурные зависимости подвижности ( в, сопротивления переключения ( б и поля активации ( в монокристалла титаната бария ( d 0 005 S 0 01 мм2. [44]

В слабых полях при образовании нового зародыша домена ослабляется эффективное поле в прилежащей зоне. Поэтому при образовании первого зародыша новые домены могут образовываться рядом только спустя некоторое время после начала прорастания первого зародыша в кристалл. Ток переключения в слабых полях определяется скоростью образования зародышей-доменов. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5