Новый домен

Cтраница 4

Домен распространяется в направлении от катода к аноду, достигнув которого он исчезает, и поэтому напряженность поля во всем образце снова становится равной пороговому значению. В результате возникнут условия для зарождения нового домена вблизи катода и весь цикл повторится. [46]

Конструктивный терм данных выражается с помощью применения функции-конструктора к соответствующему числу аргументов соответствующих типов. Мы представляем типы таких элементов с помощью новых доменов, определенных доменными уравнениями, соответствующими объявлениям составных типов. [47]

Петли гистерезиса при кручении образца кристалла KFe ( MoO4, [ 371J. а - с поперечными доменными границами, б - с продольными доменными границами. [48]

Большие скачки на кривой нагрузки связываются со скачкообразным изменением числа макроскопических доменов в образце. Приращение нагрузки определяется энергетическими затратами на рождение нового домена и достижение им критического размера, соответствующего потере устойчивости его метастабильного состояния в образце конечных размеров. [49]

Импульсный усилитель на диоде Ганна.| Работа диода Ганна. [50]

Импульс тока преобразуется в импульс напряжения с помощью нагрузочного резистора R-a, включенного последовательно с диодом. Этот импульс напряжения может быть использован для возбуждения новых доменов в последующих диодах Ганна. [51]

Под влиянием внешнего электрического поля доменные стенки могут перемещаться. Кроме того, могут образовываться и развиваться зародыши новых доменов со спонтанной поляризацией, направленной вдоль поля. В достаточно сильном поле кристалл всегда становится однодоменным. [52]

В слабых полях переориентация осуществляется за счет возникновения многих зародышей новых доменов. [53]

N-образная вольтам-первая характеристика полупроводника. [54]

По достижении конца образца ( анода) домен начинает разрушаться и ток в образце возрастает. Как только величина, тока в образце достигает значения / шах, начинается образование нового домена. [55]

Коэрцитивное поле сложным образом зависит от качества обработки кристалла, типа электродов и толщины переполяризуемого образца. Эта зависимость обусловлена наличием различного рода поверхностных слоев на кристалле, влияющих на зарождение и рост новых доменов. [56]

Отчетливые скачки с большой амплитудой изменения М имеют место лишь в высококачественных кристаллах при полном отсутствии в образце зародышей доменов в виде неисчезающих при разгрузке клиновидных упругих двойников. Наличие в кристалле таких двойников приводит к сглаживанию ( или даже полному исчезновению скачков), так как новые домены образуются за счет постепенного роста таких двойников. Зарождение и развитие доменов типа упругих двойников связано с постепенным увеличением сверхупругой деформации на этапе увеличения их длины, что приводит к сглаживанию скачков релаксации на кривых кручениях. Остающиеся небольшие скачки отвечают резкому утолщению доменов, проросших на всю длину образца. [57]

Было найдено, что прибор может продолжать генерировать колебания и после снятия возбуждающего импульса. Это объясняется тем, что при рассасывании домена у анода переходные процессы в схеме могут привести к образованию у катода нового домена. [58]

Частота генерации в пролетном режиме соответствует сумме времени пролета домена от катода к аноду и времени на образование домена и рекомбинацию его на аноде. Когда приложенное напряжение постоянно, колебания тока представляют собой ряд импульсов большого тока, длительность которых определяется временами рекомбинации домена и формирования нового домена. Такой вид колебаний тока при постоянном питающем напряжении представляет интерес только для исследования физических процессов в диодах, так как он энергетически невыгоден. [59]

Процесс образования новых доменов при отсутствии внешнего поля связан с уменьшением свободной магнитостатической энергии WMCT и увеличением энергии Wrp, необходимой для создания граничных слоев между доменами. Этот процесс может продолжаться лишь до тех пор, пока AWrp WMCT, где A Wrp - энергия, необходимая для создания граничных слоев нового домена, WMCT - р свободная магнитостатическая энергия в соответствии с предшествующей доменной структурой. Поэтому для весьма мелких ферромагнитных частиц и очень тонких слоев магнитного вещества, обладающих небольшой WMCT, энергетически выгодна однодо-менная структура, если размер частицы или толщина слоя ниже определенного критического значения. Например, для никеля критическим является размер порядка 3 5 - 10 - 3 мкм; для пермаллоя, состоящего из 80 % Ni и 20 % Fe, критическая толщина слоя равна примерно 0 3 мкм. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5