Мелкий донор

Cтраница 1

Энергия ионизации примесей ( в миллиэлектрон-вольтах в наиболее изученных. [1]

Мелкие доноры в соединениях АШВУ обладают намного меньшими коэффициентами диффузии, чем мелкие акцепторы. В подавляющем большинстве случаев для диффузионного легирования используют цинк. Существенней особенностью процесса диффузии в полупроводниках АШВУ - является его зависимость от давления паров летучего компонента Bv, которое определяет концентрацию дефектов в решетке. [2]

Энергия ионизации мелких доноров или акцепторов, как было показано выше, незначительна по сравнению с шириной запрещенной зоны. Чем выше температура, тем больше доноров отдадут свои электроны. С повышением температуры, конечно, увеличивается и вероятность межзонных переходов. [3]

Зависимость концентраций свободных носителей п ( а, мелких доноров Nd ( 6 и всех акцепторов Na ( e от стехиометрии исходного расплава. 3 - общее содержание примеси 0дщ в кристаллах. 2 - концентрация неидентифицированных центров ( 181Ц0бщ - 2Я 1. [4]

На рис. 2 представлены зависимости концентраций и, мелких доноров Na и всех акцепторов Na как функции стехиометрии исходного расплава ( Nd и Na определялись по подвижности электронов в области низких температур с учетом произвольного вырождения электронного газа. При большом уровне легирования температурная зависимость подвижности позволяет заключить, что основным типом рассеяния является рассеяние на ионах примеси. Соответствующие выражения для подвижности подробно рассмотрены Фистулем в [7], где имеются таблицы значений входящих в расчет интегралов Ферми. [5]

Спектры примесного поглощения.| Спектр примесного поглощения кремния, легированного бором. [6]

Если оптические переходы происходят между валентной зоной и ионизированным мелким донором или между ионизированным акцептором и зоной проводимости, то энергии поглощаемых в таких переходах квантов должны удовлетворять условию: / ш А. [7]

Элементы VII группы, замещающие катионы, ведут себя как мелкие доноры, хотя они могут давать и более глубокие уровни. Влияние этих дефектов на соответствующие свойства будут рассмотрены отдельно. [8]

Рассмотрим теперь другой крайний случай, когда носители возбуждаются с относительно мелких доноров, так что число носителей остается постоянны-м и вклад процессов тепловой генерации и рекомбинации в общий шум пренебрежимо мал. Однако величина джонсоновского шума при этом должна, конечно, оставаться неизменной. Выражение (6.5) может быть использовано для вывода формулы для джонсоновского шума, исходя из случайных смещений электронов в зоне проводимости. [9]

Температурная зависимость подвижности двумерного электронного газа в гетеропереходе GaAs / Gao 7Alo sAs с модулированным легированием. Кружки соответствуют экспериментальным результатам. Штриховые и штрихпунктирные кривые описывают расчетные вклады в подвижность от различных механизмов рассеяния. Сплошная кривая соответствует сумме этих вкладов. [10]

Если материал с большей шириной запрещенной зоны ( AlGaAs) легируется мелкими донорами, то уровень Ферми смещается из середины запрещенной зоны к уровню донора. Это явление называется изгибом зон. [11]

В [19] увеличение ц & рассматривается на примере кремния, легированного золотом и мелкими донорами. При этом донорный уровень AU оказывается полностью заполненным собственными электронами, а уровень Аи - заполнен менее чем на половину электронами с мелких донорных уровней. В результате кремний имеет проводимость га-типа и высокое сопротивление. [12]

В следующем пункте мы применим приближение эффективной массы для вычисления энергий и волновых функций мелких доноров. [13]

Допустим, что у примесного атома в полупроводнике есть выбор, стать ли ему мелким донором замещения или глубоким центром посредством искажения решетки. [14]

График сопротивле.| График проводимости образцов Si. As с различной концентрацией примесей в осях. [15]

Страницы: 1 2 3