Мелкий донор

Cтраница 2

Все материалы, обсуждавшиеся до сих пор в этой главе, это классические полупроводники с мелкими донорами или акцепторами. Все эти материалы естественным образом становятся изоляторами при понижении температуры. Чтобы не возникло впечатления, что прыжковая проводимость - специфическое свойство этого весьма ограниченного класса веществ, приведем пример прыжковой проводимости в изоляторе совершенно другой природы - в пленке металлического вещества, столь тонкой, что проводимость в ней блокируется поверхностным рассеянием. [16]

Полупроводник с глубокой примесью, создающей два акцепторных уровня в верхней половине запрещенной зоны, легируют мелкими донорами. Оказалось, что при некоторой концентрации доноров проводимость при комнатной температуре возрастает на 5 порядков, а при дальнейшем увеличении концентрации доноров изменяется мало. Пренебрегая влиянием легирования на подвижность электронов и считая, что указанное изменение проводимости обусловлено смещением уровня Ферми между уровнями глубокой примеси, оценить энергию корреляции. [17]

Зависимость - концентрации свободных носителей заряда в слоях A. lxGai xAs от содержания AI в случае четырех типов атомов легирующей примеси. Количество легирующей молярной примеси в расплаве во всех случаях одинаково и равно 0 5 %. Слои выращены на подложках GaAs с ориентацией ( 100 при температурах от 810 до 840 С. [18]

Примеси S, Se, Те, Sn, Sn, Si, С и Ge являются мелкими донорами, a Zn, Be, Mg, Cd, Si, Ge и С - мелкими акцепторами в GaAs. Элементы IV группы периодической таблицы С, Si, Ge и Sn - амфотерны в GaAs, их электрическая активность в кристалле зависит от условий выращивания. Например, при температуре около 900 С атомы Ge замещают атомы As в узлах кристаллической решетки и проявляют себя как акцепторная примесь. Вблизи температуры плавления атомы Ge замещают Ga и ведут себя как доноры. Атомы Zn летучи и быстро диффундируют в кристалле, поэтому с их помощью несложно создать диффузионный переход, однако среди наиболее распространенных акцепторных примесей наиболее высокие времена жизни неравновесных носителей получены при легировании атомами Ge и Be. Наилучшей донорной примесью, по-видимому, является Те. Из-за низких коэффициентов диффузии атомов Ge и Те их вводят не после, а в процессе выращивания слоев. [19]

Предположим, что время жизни определяется значением тло, определенным в соответствии с теорией Шокли-Рида, в полупроводник ввели дополнительно небольшую концентрацию мелких доноров. [20]

GaAs, подвергнутый давлению [4.6], в виде глубокого донора, называемого D - центром, который обладает совершенно другими свойствами, чем мелкий донор. [21]

Из находящихся в запрещенной зоне уровней энергии примесей EQ наибольший интерес представляют те, которые находятся вблизи краев зон ЕЬ - Они называются мелкими донорами или акцепторами. [22]

Зависимость измерения коэффициента а полос поглощения 1 8 и мкм ( /, 2. околокраевого поглощения ( 3 и удельного сопротивления р ( 4 в кремнии, легированном протонами с энергией 7 МэВ. 3 10 см 2. [23]

К наблюдается ЭПР-сигнал электронов проводимости [138], однако при охлаждении образцов от 20 до 1 3 К [139] ожидаемого для мелких водородопоцобных доноров резонанса, связанного со сверхтонкой структурой нейтральных мелких доноров, обнаружено не было. Это указывает на необычную природу водородных доноров. [24]

Области термической устойчивости комплексов, включающих атомы водорода. [25]

Пассивация мелких акцепторов осуществляется эффективно при температуре 100 С ( дезактивируются 99 %) при выдержке образцов в водородной плазме, либо при бомбардировке нюкоэнергетическими ионами водорода 5 кэВ, либо при введении водорода из других источников. Мелкие доноры также пассивируются, однако не столь сильно, как акцепторы. [26]

Метод ЭПР более развит по сравнению с методами ЯМР и ЯКР. Далее ЭПР применяется для исследования мелких доноров и акцепторов в полупроводниках, их взаимодействия, образования примесных зон, а также для исследования дефектов, которые могут быть ловушками электронов и дырок. [27]

Эксперименты такого типа являются важным методом проверки теории мелких доноров в полупроводниках и измерения входящих в теорию параметров. [28]

Схема стадий образования и отжига комплексов вакансия-кислород, дива-кансия-кислород и многовакансионных комплексов, включающих три и более атомов кислорода. Si-СЗ - и 3. - С4 - комплексы - возбужденные конфигурации А - центра. [29]

Показано [86], что в зависимости от химической природы примеси в тетраэдрическом положении могут вносить мелкие и глубокие уровни в запрещенную зону или образовывать резонансные состояния в валентной зоне. Так, атомы элементов I и II групп в кремнии явштяся мелкими донорами, а атомы элементов III группы образуют резонансные состояния в валентной зоне, либо формируют глубокие и мелкие уровни в запрещенной зоне в зарядовых состояниях 2, 1 и 0 соответственно. Атомы элементов IV и V групп действуют как мелкие и глубокие доноры, а атомы элементов VI и VII групп - как глубокие акцепторы. [30]

Страницы: 1 2 3