Соответствующее допущение

Cтраница 1

Волновые числа переходов Франка - Коидона для р-системы полос N0 ( из. [1]

Соответствующее допущение принято относительно зависимости силы осциллятора электронного перехода от длины волны ( ср. [2]

При соответствующих допущениях матрица преобразования может быть полностью независимой от вектора входного потока. [3]

При соответствующих допущениях о постоянстве параметров элементов технических систем линейные уравнения характерны для некоторых механических, электрических и тепловых систем. [4]

При соответствующих допущениях можно доказать такой же результат для случая, когда слой X целочисленно вполне негомологичен нулю в Хо. Для того чтобы теорема об универсальных коэффициентах была верна для поля рациональных чисел, будем включать в последующие рассуждения условие компактности. Будут добавлены и другие необходимые для применения этой теоремы условия; например, будут рассматриваться локально гладкие действия на открытых или замкнутых многообразиях. [5]

При соответствующих допущениях из общих соотношений ( 8) - ( 11) следуют приближенные соотношения, имеющие более узкую область применения. [6]

При соответствующих допущениях матрица преобразования может быть полностью независимой от вектора входного потока. [7]

При соответствующих допущениях относительно различий в продолжительности пндукцпоы 01 о герпода инд. Таким образом, это число может быть связано с усиливающей способностью саж разлпчньх типов, как это показано на рис. 5.5. Так как число активных центров, приходящихся на 1 смг поверхности, пропорционально ( Х0) dp, то в пределах постоянных значений ( Х0) концентрация активных центров на поверхности частиц сажи тем больше, чем больше их размер. [8]

При соответствующих допущениях матрица преобразования может быть полностью независимой от вектора входного потока. [9]

Соотношение (6.10) при соответствующих допущениях может быть преобразовано в критерий прочности для изотропных материалов с различными пределами прочности на растяжение и сжатие. Подробный анализ общих свойств критериев прочности для изотропных материалов дан в [35, 37], где рассмотрена новая форма их геометрической интерпретации в двумерном пространстве базисных инвариантов тензора напряжений. [10]

Валентные углы а ( в градусах и межатомные.| Направление валентных связей в молекулах этилена и ацетилена. [11]

Квантовая механика при использовании соответствующих допущений приводит к тем же выводам о направлениях валентных связей углеродного атома. [12]

Однако в этом случае следует сделать соответствующее допущение относительно изменения числа пор, имеющих одинаковый радиус, по мере приближения к центру данной частицы. Простейшее допущение заключается в том, что число пор данного радиуса г снижается пропорционально площади сферической оболочки. [13]

Зависимость относительной концентрации компонента в твердой фазе от доли закристаллизованного материала при нормальной направленной кристаллизации с различным значением Ко [ 101. [14]

Было бы правильно называть это уравнение ( и соответствующие допущения) уравнением и допущениями Галливера - Пфанна, учитывая большой вклад Пфанна в развитие методов направленной кристаллизации. [15]

Страницы: 1 2 3 4