Линия - кикуча
Cтраница 3
 |
Конусы лучей, приводящие к появлению линий Кикучи на электронно-дифракционной картине. [31] |
Один конус содержит избыточное излучение по сравнению с интенсивностью фона, второй - недостаточное. Пересечение этих конусов с плоскостью наблюдения приводит к появлению линий Кикучи от этой отдельной дифрагирующей плоскости, причем линия меньшей интенсивности расположена ближе к пятну первичного пучка. Появление линии Кикучи свидетельствует, во-первых, о высокой степени совершенства кристалла. Отражающие плоскости, которые приводят к появлению пар линий, должны иметь одинаковую ориентацию по всему кристаллу. Если их соосность изменяется, то линии Кикучи расширяются и сливаются с фоном. Во-вторых, картина линий Кикучи может быть использована для определения ориентации тонких монокристаллических пленок с большей точностью, чем это возможно выполнить по одним только брэгговским рефлексам. Для идентификации ориентации алмазной кубической и гране-центрированной [13], а также и для объемно-центрированной и гексагональной [ 14J монокристаллических пленок опубликованы схемы картин Кикучи. Его величина и, в особенности, его знак важны для интерпретации дифракционного контраста в просвечивающей электронной микроскопии. Для s 0 линии повышенной и пониженной интенсивности проходят через дифракционное пятно и пятно первичного пучка. Для s О обе линии смещены в направлении, идущем от пучка к дифракционному-пятну, в то время как для. Рентгеновским аналогом линий Кикучи являются линии Косселя, которые возникают, когда источник расходящихся рентгеновских лучей расположен близко к поверхности кристалла. [32]
Интенсивность рассеяния электронов максимальна в направлении падающего пучка и с увеличением угла рассеяния а резко уменьшается. Пусть где-то внутри кристалла находится источник диффузно рассеянных электронов. В направлении щ и аа рассеянные электроны встречают плоскости HKL кристалла, от которых отражаются в соответствии с законом Вульфа - Брегга. Эти направления соответствуют образующим конусов, осью которых является нормаль к отражающим плоскостям HK. Геометрия дифракции электронов, источник которых располагается внутри самого кристалла, та же, что и геометрия псевдо - Косселя для дифракции рентгеновских лучей ( см. гл. Картины линий Кикучи очень чувствительны к изменению ориентировки кристалла. [33]
 |
Конусы лучей, приводящие к появлению линий Кикучи на электронно-дифракционной картине. [34] |
Один конус содержит избыточное излучение по сравнению с интенсивностью фона, второй - недостаточное. Пересечение этих конусов с плоскостью наблюдения приводит к появлению линий Кикучи от этой отдельной дифрагирующей плоскости, причем линия меньшей интенсивности расположена ближе к пятну первичного пучка. Появление линии Кикучи свидетельствует, во-первых, о высокой степени совершенства кристалла. Отражающие плоскости, которые приводят к появлению пар линий, должны иметь одинаковую ориентацию по всему кристаллу. Если их соосность изменяется, то линии Кикучи расширяются и сливаются с фоном. Во-вторых, картина линий Кикучи может быть использована для определения ориентации тонких монокристаллических пленок с большей точностью, чем это возможно выполнить по одним только брэгговским рефлексам. Для идентификации ориентации алмазной кубической и гране-центрированной [13], а также и для объемно-центрированной и гексагональной [ 14J монокристаллических пленок опубликованы схемы картин Кикучи. Его величина и, в особенности, его знак важны для интерпретации дифракционного контраста в просвечивающей электронной микроскопии. Для s 0 линии повышенной и пониженной интенсивности проходят через дифракционное пятно и пятно первичного пучка. Для s О обе линии смещены в направлении, идущем от пучка к дифракционному-пятну, в то время как для. Рентгеновским аналогом линий Кикучи являются линии Косселя, которые возникают, когда источник расходящихся рентгеновских лучей расположен близко к поверхности кристалла. [35]
Страницы: 1 2 3