Диффузная линия

Cтраница 2

Частоты линий даны в см-1, первое число в скобках представляет интенсивность линии / о, второе - степень ее деполяризации р; д - диффузная линия, ш - широкая, дв - двойная, р - резкая, ф - линия с сильным фоном, п - поляризованная, дп - деполяризованная; разделение частот черточкой указывает на составной характер линии. [16]

Спектры ионов редкоземельных элементов, наблюдающиеся при абсорбции или при флюоресценции, содержат линии, которые могут быть приблизительно разделены на четыре основных класса: 1) сильные резкие линии, встречающиеся в виде широко расставленных групп; 2) слабые резкие линии, часто встречающиеся как сателлиты с фиолетовой стороны сильных линий; 3) слабые диффузные линии, обычно лежащие также с фиолетовой стороны сильных резких линий; 4) сильные диффузные полосы в ультрафиолете, не обнаруживающие структуры. Энергия излучения, как известно, подтверждает факт перехода электронов с одного энергетического уровня на другой. Предполагается, что сильные резкие линии обычно соответствуют чисто электронным переходам, тогда как слабые линии обычно возникают при наложении других энергетических уровней на электронные. В дальнейшем будут рассмотрены только линии первого класса, слабые же линии в данный момент игнорируются. [17]

Исходные тампонажные цементы ЦТУК-120-1 и ЦТУК-120-2 представляют собой смесь барита BaSO4 ( пики на рентгенограммах 0 445; 0 435; 0 39; 0 377; 0 357; 0 345; 0 332; 0 11; 0 283; 0 273 нм и др.), кварца SiO2 ( пики 0 425; 0 334; 0 246; 0 228; 0 182; 0 154 нм и др.) и шлака, характеризующегося на рентгенограммах широкой диффузной линией при значениях межплоскостных расстояний от 0 26 до 0 38 нм в связи со стекловидной основой и очень низким содержанием кристаллических фаз. [18]

Измерительный микроскоп МИР-12. [19]

При узких интенсивных линиях удобнее всего пользоваться двойными нитями окуляра микроскопа и устанавливать линию посередине между нитями - глаз определяет это положение достаточно точно. Для измерения слабых диффузных линий часто удобнее пользоваться одной нитью, которую устанавливают на середину линии. [20]

На пластинке было обнаружено несколько диффузных линий излучения на фоне непрерывного спектра. [21]

Наблюдавшаяся резкая экваториальная линия на 11 А указывает на сохраняющийся при температуре выше Т () межплоскостной порядок и на отсутствие его в плоскости. Беспорядок в плоскости, возможно, является причиной появления диффузной линии при 4 5 - 5 0 А, которая наблюдается на этой же рентгенограмме. [22]

Настоящее исследование ограничено кислыми растворами, так как в щелочных растворах многоядерные комплексы алюминия и коллоидальная гидроокись довольно быстро переходят в состояние с элементами кристаллической структуры. Это показано рентгенографическим методом [2], по данным которого обнаружено, что в щелочных растворах гидроокись алюминия вскоре после осаждения дает в рентгеновских спектрах диффузные линии бемита. [23]

Из представленных в табл. 1 экспериментальных данных видно, что спектры малых частот этих веществ отличаются друг от друга. В спев: тре кристалла ге-броманилина отчетливо наблюдается шесть линий у 40, 44, 56, 67, 75 и 124 см-1, причем линии 40 и 44 см 1 почти сливаются в одну. Широкие диффузные линии при 124 см-1, наблюдаемые в спектрах обоих кристаллов, несимметричны и носят, по-видимому, сложный характер. [24]

Существует некоторое оптимальное увеличение, при котором точность наведения на линию наибольшая. Чем уже и резче линия, тем большее увеличение выгодно брать. Наоборот, диффузные линии с размытыми краями и молекулярные полосы требуют малых уравнений. Часто приходится измерять спектры, в которых наряду с резкими линиями присутствуют и диффузные. Здесь приходится выбирать какое-то среднее увеличение, если мы не хотим измерять отдельно резкие и отдельно диффузные линии. Чересчур большие увеличения, когда становятся видными отдельные зерна эмульсии, брать невыгодно, так как глаз в этом случае плохо находит максимум плотности зерен, соответствующий середине спектральной линии. К сожалению, выпускаемый у нас компаратор ИЗА-2 не допускает изменения увеличения в таких широких пределах. [26]

Изменение параметра осадка с увеличением толщины. [27]

Предположим, что моноатомный слой осадка имеет нормальный параметр решетки. Тогда на дифракционной картине наряду с рефлексами от решетки подложки появятся рефлексы от кристаллического слоя осадка. Однако наряду с первичными диффузными линиями в результате вторичной дифракции электронных волн, отраженных от подложки, появятся добавочные линии. Точечные рефлексы, расположенные вдоль центральной линии, обусловливают вторичную дифракцию, рефлексы от которой совпадают с первичной картиной. Однако рефлексы, расположенные вдоль ряда А, действуя как источник, приведут к образованию добавочных линий, показанных на рис. 65 штрихами. Таким образом, первичные и вторичные дифракционные рефлексы могут перекрываться и образовывать широкие дифракционные полосы, которые формально соответствуют параметрам решетки подложки. Это обстоятельство представляет существенное затруднение при расшифровке электронограмм, если различие параметров подложки и осадка составляет несколько процентов. [28]

Первое прямое доказательство существования мезоморфного состояния в полифосфазенах было получено Алленом и др. [5] при рентгенографическом изучении поли-бис-трифторэтоксифосфа-зена при 80 С. Наблюдавшаяся резкая экваториальная линия на 11 А указывает на сохраняющийся при температуре выше 7 ( 1) межплоскостной порядок и на отсутствие его в плоскости. Беспорядок в плоскости, возможно, является причиной появления диффузной линии при 4 5 - 5 0 А, которая наблюдается на этой же рентгенограмме. [29]

В области давлений 30 - 70 кбар и температур 1200 - 1400 С был осуществлен модифи-кационный переход а - - p - SiC. Исходным материалом служили порошки карбида кремния - модификации, различающиеся размером частиц, химической чистотой и политипным составом. При этом отмечено, что на рентгенограммах a - SiC, находящегося в конечных продуктах в небольшом количестве, диффузные линии значительно ослабленные и размытые. [30]

Страницы: 1 2 3