Сплошная штриховая линия
Cтраница 3
Формулы (5.36), (5.50), (5.52), (5.54) позволяют вычислять среднее число Шервуда для произвольно ориентированного в потоке тонкого кругового диска в случае протекания гетерогенной химической реакции первого порядка на его поверхности. Для диска; плоскость которого нормальна ( со - 0) и параллельна ( со я / 2) набегающему потоку, зависимости среднего числа Шервуда от безразмерной скорости реакции в логарифмическом масштабе представлены на рис. 6.8 сплошными и штриховыми линиями при разных значениях числа Пекле. Видно что мас-сообмен частицы в потоке существенно зависит от ее ориентации и скорости поверхностной реакции. [31]
Однако относительная фаза 6 изменяется в процессе параметрического взаимодействия. Поэтому, даже если 6 - я / 2 на входе в световод, при распространении по световоду 6 меняется от 0 до я / 2, где сигнальная и холостая волны испытывают уже ослабление. Сплошные и штриховые линии соответствуют случаям / 3 ( 0) / 4 ( 0) 0 1 мкВт и / 3 ( 0) 6 мВт при / 4 ( 0) 0 1 мкВт соответственно. Последний случай соответствует собственно параметрическому усилению, в то время как в первом случае обе волны вырастают из шума. В обоих случаях холостая и сигнальная волны периодически усиливаются и затухают. Таким образом, для параметрического усиления требуется жесткий контроль длины световода даже при точном фазовом синхронизме. [32]
Однако относительная фаза 6 изменяется в процессе параметрического взаимодействия. Поэтому, даже если 6 - я / 2 на входе в световод, при распространении по световоду 6 меняется от 0 до я / 2, где сигнальная и холостая волны испытывают уже ослабление. Сплошные и штриховые линии соответствуют случаям Р3 ( 0) Р4 ( 0) 0 1 мкВт и Р3 ( 0) 6 мВт при / 4 ( 0) 0 1 мкВт соответственно. Последний случай соответствует собственно параметрическому усилению, в то время как в первом случае обе волны вырастают из шума. В обоих случаях холостая и сигнальная волны периодически усиливаются и затухают. Таким образом, для параметрического усиления требуется жесткий контроль длины световода даже при точном фазовом синхронизме. [33]
На рис. 11 схематически представлен процесс наложения волн при отражении от поверхности металла. При этом предполагается, что электрический вектор падающей волны параллелен поверхности раздела, которая в свою очередь перпендикулярна плоскости чертежа. Гребни и впадины падающих и отраженных волн изображены сплошными и штриховыми линиями соответственно. Стрелки указывают направление отдельных магнитных полей, а сдвоенные стрелки обозначают результирующий магнитный вектор. [35]
В обоих случаях предполагалось, что чугунное ядро радиуса 0 07 м вылетает под углом а45 к поверхности Земли. Штриховыми линиями даны параболические траектории ( 3) в модели § I. Сравнение сплошных и штриховых линий наглядно показывает влияние сопротивления воздуха на движение ядра при различных начальных скоростях. [37]
Порядок перечисления устройств соответствует убыванию их быстродействия и возрастанию емкости. Каждый уровень иерархии может содержать несколько экземпляров ( модулей) соответствующих устройств для получения нужной емкости данного уровня памяти. На рис. 4.1 сплошными и штриховыми линиями показаны соответственно обычно и сравнительно редко реализуемые пути передачи данных между отдельными ступенями иерархической памяти. Иерархическая структура памяти позволяет экономически эффективно сочетать хранение больших объемов информации с быстрым доступом к информации в процессе обработки. [38]
 |
Схема лабораторной установки Н.В. Полякова. [39] |
Изменение температуры на поверхности образцов характеризует тепло - и температуропроводность исследуемых структур. Линия 2 проходит ниже линии /, т.е. теплопроводность структуры металл - масляная пленка меньше теплопроводности металлического образца. Следует отметить, что сплошные и штриховые линии близки между собой. Следовательно, удвоение нагрузки на контактирующие тела в рассматриваемом диапазоне давлений не вызывает существенных изменений в теплопроводности исследуемой структуры. [40]
 |
Иерархическая структура памяти ЭВМ. [41] |
Требования к емкости и быстродействию памяти являются противоречивыми. Чем больше быстродействие, тем технически труднее достигается и дороже обходится увеличение емкости памяти. Стоимость памяти составляет значительную часть общей стоимости ЭВМ. В общем случае ЭВМ содержит сверхоперативную память ( СОП) или местную память, оперативную память, ( ОП), память с прямым доступом на магнитных барабанах и на магнитных дисках, память с последовательным доступом на магнитных лентах. Порядок перечисления устройств соответствует убыванию их быстродействия и возрастанию емкости. Каждый уровень иерархии может содержать несколько экземпляров ( модулей) соответствующих устройств для получения нужной емкости данного уровня памяти. На рис. 4.1 сплошными и штриховыми линиями показаны соответственно обычно и сравнительно редко реализуемые пути передачи данных между отдельными ступенями иерархической памяти. Иерархическая структура памяти позволяет экономически эффективно сочетать хранение больших объемов информации с быстрым доступом к информации в процессе обработки. [42]
Железо и стали различных марок достаточно широко экспериментально исследованы. Откольная, прочность стали Ст. Там же показано достаточно слабое уменьшение оотк при предварительном нагреве образцов до - 450 С. С) получены критические уровни нагружения, соответствующие зарождению откольных микроповреждений. Масштаб системы при этом изменялся подобно в - 4 раза, характерные времена нагружения составляли - 1.3 и - 0.3 икс соответственно для большого и малого образцов. Влияние температуры на откольную прочность железа и сталей двух марок можно проследить по рис. 5.6 и 5.8: конкретным условиям нагружения соответствует при заданном значении t0 различная степень отколъного повреждения образцов, условно подразделенная на ряд градаций. Критические уровни нагружения OIOTK и 02отк, соответствующие микро - и макроскопическому разрушению, показаны на рисунках сплошными штриховыми линиями соответственно. [43]
Страницы: 1 2 3