Слабая линия - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Жизнь человеку дается один раз, но, как правило, в самый неподходящий момент. Законы Мерфи (еще...)

Слабая линия

Cтраница 2


Для отделения относительно слабых линий комбинационного рассеяния от мощного рэлеевского рассеяния необходимо чрезвычайно высококачественный селектор частоты. Для обеспечения достаточно высокой разрешающей способности и для уменьшения помех от побочного рэлеевского рассеяния часто применяют двойной монохроматор. Такую систему можно представить себе как два моно-хроматора, расположенных спиной друг к другу, которые действуют последовательно, и вращение дифракционных решеток которых тщательно синхронизировано. Естественно, что такая система является довольно дорогостоящей, но она совершенно необходима для получения спектров комбинационного рассеяния, пригодных для аналитических целей. При работе двойной монохроматор сканирует рэлеевскую линию и линии комбинационного рассеяния.  [16]

Это считается исключительно слабой линией. Часто становится частью медвежьего продолжения или бычьей фигуры перелома, особенно если случается при нижнем тренде.  [17]

18 Кривая нагревания смеси Sr ( OH2 8Н2О - силикагель - Н2О.| Кривая нагревания механической смеси 30 вес. ч. Sr ( OH2 - 8H2O и 70 вес. ч. силикагеля. [18]

На рентгенограмме видны размытые, слабые линии, по положению отличающиеся от линий октогидрата стронция.  [19]

За исключением нескольких слабых линий, которые наблюдаются не на всех электронограммах и которые можно считать признаком присутствия а-гетита, все или почти все остальные линии могут быть объяснены на основе предположения, что решетка гексагональная, причем для радиуса аниона получается величина г 1 33 А. Конечно, этот результат нельзя считать однозначным. Для проверки этих выводов о принадлежности данной структуры к гексагональной сингонии необходимы дальнейшие исследования.  [20]

Визуальная оценка интенсивностей слабых линий проводилась обычно путем сравнения спектра исследуемого вещества со спектром какого-либо хорошо изученного вещества, ослабленным в заданное число раз.  [21]

Присутствие небольшого числа слабых линий в спектре ( табл. 3) указывает на содержание в осадке малых количеств ( - 1 - 2 %) соединений кристаллического строения.  [22]

Отсутствие у гелия слабых линий не позволяет подобрать подходящие линии сравнения для малых концентраций неона. Поэтому был применен ступенчатый ослабитель, помещенный перед щелью стилоскопа.  [23]

Наличие небольшого числа слабых линий в спектре указывает на присутствие в осадке малых количеств ( 1 - 2 / о) соединений кристаллического строения.  [24]

Присутствие небольшого числа слабых линий в спектре ( табл. 3) указывает на содержание в осадке малых количеств ( - 1 - 2 %) соединений кристаллического строения.  [25]

Поэтому для наблюдения слабых линий на фоне яркого сплошного спектра выгодно уменьшать спектральную ширину щели. Это справедливо не только для фотоэлектрической, но и для фотографической регистрации.  [26]

Линия SenkouA является более слабой линией поддержки / сопротивления. Если цена пересекает Senkou Span А, ( как впрочем и Senkou Span В), а затем оказывается в облаке цен ( то есть между линиями А и В), то с точки зрения индикатора Ишимоку, сейчас мы наблюдаем канал.  [27]

В других системах наблюдались слабые линии с красной стороны от предполагаемых начал чисто электронных полос при низких температурах, при которых о колебательном возбуждении в основном состоянии не может быть и речи; природа этих полос не установлена. Определив из спектров флуоресценции, что начало системы в эмиссионном спектре расположено при 24 929 см 1, Сидман пришел к заключению, что эта частота соответствует отдельному электронному переходу. Он предположил, что этот переход может соответствовать уровню захваченного экситона типа, впервые предложенного теоретически Френкелем. Расчеты [27] подтверждают, что экситонная полоса этого перехода в антрацене лежит приблизительно на 200 см 1 ниже самого низкого уровня с k 0, на который в основном происходят сильные переходы. Кроме того, вследствие несовершенств или дефектов решетки могут быть индуцированы переходы на уровни, соответствующие началу полосы. Однако Лейси и Лайонс [57] недавно высказали предположение, что в привлечении таких специальных механизмов нет необходимости, так как начало электронной полосы, поляризованной вдоль оси Ь, лежит ниже, чем предполагалось ранее, и, возможно, достаточно низко для того, чтобы можно было объяснить полосы, наблюдаемые Сидма-ном.  [28]

Предположив, что эта слабая линия была вызвана присутствием небольшого количества дейтерия в водороде, они решили приготовить некоторое количество водорода с большей концентрацией дейтерия и таким образом увеличить относительную интенсивность этой линии.  [29]

30 Группа А1г ( железный электрод. [30]



Страницы:      1    2    3    4