Cтраница 3
Чтобы удобнее было рассматривать слабые линии в фиолетовой области, силу тока дуги следует увеличить до 8 - 10 а и тщательно регулировать освещение линзой. [31]
![]() |
Группа Р ( графитовый электрод. [32] |
К линии фосфора примыкает слабая линия железа 6042 09 А, но она заметна только при очень малых содержаниях фосфора, слегка уширяя его линию. [33]
За исключением одного случая слабой линии, все комбинационные частоты даны согласно Глоклеру и его сотрудникам, так как они применяли значигельчо более высокую дисперсию, чем Кроуфорд. [34]
![]() |
Диаграмма энергетических уровней возбужденной лазерным излучением флуоресценции, используемой для измерения спектров поглошения. [35] |
Наиболее чувствительный метод обнаружения слабых линий поглощения в видимой и ультрафиолетовой областях основан на использовании флуоресценции, возбуждаемой поглощенным лазерным излучением. [36]
Линия титана совпадает со слабой линией железа 4991 31 А, поэтому содержание титана менее 0 1 % следует определять по линии Ti 4999 51 А. [38]
![]() |
Колебательные спектры диметилдисульфида в капиллярной кювете 15 мкм. [39] |
КР проявляются хуже и дают слабые линии при тех же частотах. В спектре же КР самые яркие линии относятся именно к этим колебаниям. Соотношение интенсив-ностей линий валентных колебаний С - Н ( на участке 2900 - 3000 см 1) в спектре КР также иное, чем в ИК-спектре: антисимметричные валентные колебания СН3 проявляются в спектрах КР гораздо хуже, чем симметричные. [40]
Это значит, что каждая слабая линия вносит свой полный вклад независимо от того, перекрываются они или нет. [41]
![]() |
Спектральная пиния Не - Ne-лазера ( Л 6328 А, зарегистрированная с передержкой на спектрографе ДФС-8. Видны духи и крылья контура монохроматического рассеяния. [42] |
Однако при изучении новых спектров слабые линии, расположенные вблизи сильных, всегда должны проверяться с этой точки зрения. [43]
В тех случаях, когда наиболее слабая линия или точка не близка к краю оболочки, найдены приближенные аналитические выражения для формы потери устойчивости и верхней критической нагрузки, существенно использующие малость относительной толщины оболочки. Если же область, занятая вмятинами, примыкает к краю оболочки, результаты не носят столь законченного характера. [44]
В нашем примере можно вычеркнуть слабые линии церия, марганца, железа, ниобия, циркония и ванадия, так как спектр анализируемой пробы простой. [45]