Cтраница 1
Синглетные линии составляют, напр. [1]
Синглетная линия, по всей вероятности, обусловлена образованием в первичном фотохимическом акте радикала с неспаренной валентностью на атоме кремния. [2]
![]() |
Зависимость изомерного химического сдвига б Е для соединений двух - ( / и четырехвалентного ( 2 олова с элементами шестой группы от ценности связи Р. [3] |
ЯГР синглетных линий, что и было обнаружено. [4]
В спектре отыскивают синглетную линию ( или, точнее, предположительный синглет), оценивают его ширину Avi / 2, пользуясь известным масштабом, и сравнивают эту величину с паспортным разрешением спектрометра ( А чг2) о - Если Avi / 2 существенно больше ( Avi) o, то разрешение считается плохим. При анализе причин плохого разрешения следует проверить раствор на наличие парамагнитных примесей, а также твердых нерастворимых примесей. [5]
Поэтому, например, асимметричная синглетная линия, обнаруженная в спектрах ЭПР твердых растворов перекиси водорода в воде или в спиртах, облученных ультрафиолетовым светом [10-12], почти наверняка обусловлена радикалами НО2, а не радикалами ОН ( см. гл. [6]
Если в спектре ЭПР наблюдается неразрешенная синглетная линия, это еще не означает, что в системе нет никаких дискретных взаимодействий, приводящих к многолинейчатой структуре. Например, если константа GTG меньше ширины линии, то многокомпонентный спектр превращается в одну линию, на которой не остается никаких видимых признаков дискретной структуры. Детальный анализ формы линии таких неоднородных синглетов позволяет, однако, во многих случаях установить наличие неразрешенной дискретной структуры и даже определить параметры этой структуры. Для однородной линии единственными информативными параметрами являются ширина и интенсивность линии, однако и в этом случае важно путем специального анализа убедиться в том, что линия является однородной. Ниже мы рассмотрим основные факторы, обусловливающие форму однородных и неоднородных синглетов, и методы анализа экспериментальной формы линии этих синглетов. Все сказанное в равной мере относится как к спектрам, состоящим только из одной линии, так и к отдельным линиям многокомпонентных спектров. [7]
В практической работе по анализу синглетных линий редко удается использовать моменты высоких порядков. Это связано с тем, что с увеличением порядка момента существенно возрастает ошибка в его расчете. [8]
![]() |
Спектры ЭПР радикалов - SiOCHCH3 ( а и SiOCDCH3 ( б на поверхности сшшкагелз при 77 К. [9] |
Пятая компонента спектра скрыта наложением синглетной линии, интенсивность которой зависит от длительности облучения. На этот спектр налагается менее интенсивный спектр ЭПР, состоящий из нескольких линий. В случае GH3GH2OD спектр был аналогичен только что описанному. Спектр от фотооблученного спирта, дейтерированного по а-положению, приведен на рис. 2, б и может быть расшифрован как квадруплет, где каждая линия расщеплена в триплет. При этом расстояние между компонентами в квадруплете остается прежним - 23 з, а между линиями в триплете примерно в 6 5 раза меньше, чем в дуплете. [10]
![]() |
Спектры ЭПР радикалов - / SiOCHCH3 ( а и ySiOCDCH3 ( б на поверхности силикагел.. при 77 К. [11] |
Пятая компонента спектра скрыта наложением синглетной линии, интенсивность которой зависит от длительности облучения. На этот спектр налагается менее интенсивный спектр ЭПР, состоящий из нескольких линий. В случае GH3GH2OD спектр был аналогичен только что описанному. Спектр от фотооблученного спирта, дейтерированного по - положению, приведен на рис. 2, б и может быть расшифрован как квадруплет, где каждая линия расщеплена в триплет. При этом расстояние между компонентами в квадруплете остается прежним - 23 э, а между линиями в триплете примерно в 6 5 раза меньше, чем в дуплете. [12]
![]() |
Спектры ЭПР в полифенилацетилене при различных уровнях микроволновой мощности. [13] |
Во всех типах органических полупроводников наблюдаются синглетные линии ЭПР с шириной 5 - 15 э, интенсивность которых подчиняется закону Кюри, а концентрация неспарекных электронов не превышает 10 - 2 от числа молекул. Параметры сигналов и возможность направленного изменения их интенсивности путем термообработки образцов и вариации условий получения говорят о том, что эти примесные центры присущи самой структуре органических полупроводников. [14]
Спектральное разрешение в ЯМР - ширина синглетной линии спектра, о которой известно, что она узкая, как, например, линии Н ТМС или бензола. Этот параметр зависит как от приборных факторов, так н от качеств образца. [15]