Cтраница 1
![]() |
Несимметричная микрополосковая линия передачи. [1] |
Микрополосковые линии передачи применяются в основном в СВЧ-ИМС с распределенными параметрами; в ряде случаев одна и та же схема может содержать элементы с сосредоточенными и распределенными параметрами. [2]
![]() |
Несимметричная микрополосковая линия передачи. [3] |
Важными параметрами микрополосковых линий передачи являются волновое сопротивление и затухание. [4]
![]() |
Зависимость коэффициента затухания МПЛ от частоты и некоторых конструктивных и электрических параметров. [5] |
Завершим рассмотрение микрополосковых линий передачи краткой характеристикой связанных микрополосковых линий, широко используемых в различных устройствах СВЧ. Конструкция связанных МПЛ представлена на рис. 1.7. Связанными называются две или несколько линий передачи, между которыми имеется непрерывная, распределенная по длине электромагнитная связь. [6]
ЦДР построен на основе экранированной микрополосковой линии передачи или запредельного прямоугольного волновода, в которых торщевые поверхности ЦДР расположены параллельно верхней и нижней стенкам прямоугольного металлического экрана на достаточно близких расстояниях к ним. Боковые металлические стенки линий передачи находятся в большинстве случаев на расстояниях в 2 и более раза превышающих диаметр резонатора, так что их влиянием на резонансную частоту л собственную добротность ЭС для рассматриваемого основного / Лиа-типа колебаний ЦДР можно пренебречь. [7]
В интегральных устройствах СВЧ-диапазона применяют микрополосковые линии передачи. [8]
Задача о расчете первичных параметров микрополосковой линии передачи является весьма сложной, так как приходится учитывать искажение структуры поля вблизи краев полоски. [9]
Все расчеты, необходимые для анализа или синтеза микрополосковой линии передачи при относительной диэлектрической проницаемости не выше 16 и конечной толщине полоски, можно выполнить по программе 2.6 SINGLE MIC. Этого интервала достаточно для большинства применяемых линий. [10]
Исходя из требований к добротности, рассчитывают геометрические размеры микрополосковой линии передач и выбирают исходные материалы и технологический маршрут изготовления микросхемы. Погрешность параметров микрополосковой линии передачи определяют с учетом как погрешности исходных формул для расчета, так и технологических допусков и невоспроизводимости толщины и диэлектрической проницаемости подложки. Поскольку толщину микрополосковой линии передачи выбирают не менее 4 скин-слоев, невоспроизводимостью по толщине проводника, как правило, пренебрегают. [11]
![]() |
Зависимость волнового сопротивления компланарной полосковой линии передачи от ее конструктивных размеров при t / h 0 005. [12] |
Этот воздушный зазор определяет ограничения по частоте и мощности, так как возникают трудности согласования сопротивлений открытого пространства и микрополосковой линии передачи. [13]
Этот воздушный зазор определяет ограничения по частоте и мощности, так как возникают трудности согласования сопротивлений открытого пространства tt ( p и микрополосковой линии передачи. [15]