Микрополосковая линия - передача
Cтраница 2
 |
Коаксиально-микрополос-ковый переход со скользящей нагрузкой. [16] |
Кроме того, при больших коэффициентах стоячих волн по напряжению ( КСВН) и при преобразовании одного типа волны в другой может возникать паразитное излучение неэкранируемых микрополосковых линий передач. В некоторых случаях нежелательные резонансы могут быть устранены за счет применения поглощающего материала. Ряд резонансов можно свести к минимуму за счет уменьшения расстояния между подложкой и экраном; при этом экран нельзя располагать так близко, чтобы он влиял на распределение поля в схеме. Предотвращение паразитных резонансов в конкретном частотном диапазоне обеспечивается соответствующим выбором размеров корпуса и расчетом. [17]
Другая конструкция коаксиально-микрополоско-вого перехода приведена на рис. 8.20. Здесь коаксиальный разъем модифицирован с целью создания ступенчатого перехода от стандартного к меньшему разъему, размеры которого выбирают в соответствии с толщиной микрополосковой линии передачи. Размер перехода выбирают таким образом, чтобы обеспечить согласование между обеими 50-омными коаксиальными секциями. [18]
Здесь в качестве примера, иллюстрирующего практическое использование двух приведенных программ, дана более сложная программа, которая реализует численный анализ частотной характеристики ступенчатого согласующего перехода, выполненного на базе микрополосковых линий передачи. Предполагается, что со стороны выхода устройство идеально согласовано. [19]
Исходя из требований к добротности, рассчитывают геометрические размеры микрополосковой линии передач и выбирают исходные материалы и технологический маршрут изготовления микросхемы. Погрешность параметров микрополосковой линии передачи определяют с учетом как погрешности исходных формул для расчета, так и технологических допусков и невоспроизводимости толщины и диэлектрической проницаемости подложки. Поскольку толщину микрополосковой линии передачи выбирают не менее 4 скин-слоев, невоспроизводимостью по толщине проводника, как правило, пренебрегают. [20]
Исходя из требований к добротности, рассчитывают геометрические размеры микрополосковой линии передач и выбирают исходные материалы и технологический маршрут изготовления микросхемы. Погрешность параметров микрополосковой линии передачи определяют с учетом как погрешности исходных формул для расчета, так и технологических допусков и невоспроизводимости толщины и диэлектрической проницаемости подложки. Поскольку толщину микрополосковой линии передачи выбирают не менее 4 скин-слоев, невоспроизводимостью по толщине проводника, как правило, пренебрегают. [21]
Преимущества полосковых линий по сравнению с коаксиальными или двухпроводными линиями заключаются в существенном повышении степени интеграции, уменьшении габаритов и массы устройств СВЧ, а также их стоимости благодаря применению групповых технологических методов производства. Ограничимся подробным рассмотрением микрополосковых линий передачи ( рис. 1.4), наиболее широко используемых в настоящее время. [22]
Индуктивности изготовляют в форме плоской, круглой ( рис. 7.10) или прямоугольной спирали. На рис. 7.10 показана индуктивность, включенная последовательно в микрополосковую линию передачи с волновым сопротивлением 50 Ом. Ее центр соединен с внешним выводом тонкой проволокой. [23]
 |
Индуктивность для СВЧ - В СЛ Чаб МЗЛЫХ ДИЭЛеКТрИЧв. [24] |
Индуктивности изготовляют в форме плоской, круглой ( рис. 8.10) или прямоугольной спирали. На рис. 7.10 показана индуктивность, включенная последовательно в микрополосковую линию передачи с волновым сопротивлением 50 Ом. Ее центр соединен с внешним выводом тонкой проволокой. При ширине проводника 50 мкм диаметр спирали равен 1 5 мм, индуктивность 20 нГн, а собственная резонансная частота 2 7 ГГц. Индуктивности менее 1 нГн реализуются в виде коротких отрезков проводника ( например, длиной 1 мм при ширине 10 мкм) или однопетлевых. [25]
Металлические корпуса обеспечивают экранирование СВЧ-мо-дулей от внешних электромагнитных полей. Однако при этом часто наблюдается нарушение формы частотных характеристик, проявляющееся в виде пиков потерь или фазовых искажений. Эти искажения объясняются возникновением колебаний высших типов в местах переходов и неоднородностей, в местах подключений шлейфов и микрополосковых резонаторов и др. Кроме того, при больших коэффициентах стоячих волн ( К. СВН) и при преобразовании одного типа волн в другой может возникать паразитное излучение неэкранируемых микрополосковых линий передач. В некоторых случаях нежелательные резонансы могут быть устранены за счет применения поглощающего материала. Ряд резонансов можно свести к минимуму за счет уменьшения расстояния между подложкой и экраном; при этом экран нельзя располагать так близко, чтобы он влиял на распределение поля в схеме. Предотвращение паразитных резонансов в конкретном частотном диапазоне обеспечивается соответствующим выбором размеров корпуса и расчетом. [26]
 |
Коаксиально-мик-рополосковый переход.| Коаксиально-микрополос-ковый переход со скользящей нагрузкой. [27] |
Из коаксиально-микрополосковых переходов наибольшее распространение получили так называемые параллельные ( соосные) переходы, в которых оси соединяемых линий параллельны. В переходе, показанном на рис. 7.19, микрополосковая линия шириной 500 мкм соединяется методом сварки с Внутренним проводником коаксиального разъема тонкой золотой лентой шириной порядка 500 мкм. Чем тоньше лента, тем меньше неоднородность, а значит и КСВН. При использовании для соединения пайки необходимо следить, чтобы толщина и ширина проводника были минимальными. Другая конструкция коаксиально-микрополоскового перехода приведена на рис. 7.20. Здесь коаксиальный разъем модифицирован с целью создания ступенчатого перехода от стандартного к меньшему разъему, размеры которого выбирают в соответствии с толщиной микрополосковой линии передачи. Размер перехода выбирают таким образом, чтобы обеспечить согласование между обеими 50-омными коаксиальными секциями. [28]
В низкочастотных микросхемах применяют дискретные миниатюрные конденсаторы и катушки индуктивности. Пленочные реактивные элементы с емкостями менее 100 пФ и индуктивностями менее 1 мкГн используют в аналоговых высокочастотных микросхемах. В сантиметровом диапазоне СВЧ требуются элементы малых размеров ( много меньше длины волны), которые следует воспроизводить с высокой точностью. Для этого необходима тонкопленочная технология. Она также обеспечивает меньшее сопротивление проводящих слоев по сравнению с толстопленочной технологией ( см. § 6.4) и более высокую добротность элементов. В этом диапазоне используют и тонкопленочные пассивные элементы на основе микрополосковых линий передачи с распределенными емкостью и индуктивностью. Размеры элементов порядка длины волны, поэтому их плотность относительно низкая. [29]
 |
Зависимость собст-венной добротности от частоты линии передачи.| Зависимость волнового сопротивле - ОКИСИ ЛЮМИНИЯ. Не. [30] |
Страницы: 1 2 3