Cтраница 1
Дифракционные линии обоих субокисей алюминия согласуются с кубической структурой, с постоянными решетки: 4.98 А для А120 при 1110 С и 5.67 А для АЮ при 1700 С. [1]
Наиболее сильным дифракционным линиям отвечают такие межплоскостные расстояния: 3 214; 2 522; 2 429; 2 174 А. [2]
Аналогом дифракционной линии среди открытых резонаторов является резонатор из двух плоских зеркал. [3]
Ширина дифракционных линий исследуемого материала и эталона оценивалась как площадь, ограниченная данной кривой и линией фона, поделенная на высоту. [4]
Интенсивное размытие дифракционных линий наблюдается на первой стадии деформирования отожженного материала, прирост ширины линии составляет около 85 % общего размытия к концу испытаний. На вторую стадию приходится около 15 % общего размытия. Это подтверждает положение о том, что пластическая деформация металла характеризуется плотностью дислокаций и протекает на первой стадии циклического деформирования. На второй стадии преобладает деструкционная деформация, которая не влияет на ширину линий, поэтому ее изменение протекает менее интенсивно. И наконец, на стадии образования магистральной трещины, которая не связана с дислокационным процессом, ширина линии остается постоянной. [5]
Поскольку положение дифракционных линий, для которых угол Брэгга близо-к к 90, очень чувствительно к малым изменениям параметров решетки, для наиболее точного их определения используют дифракционные линии, соответствующие углам отражения максимально возможной величины. Если одновременно получить дифракционные линии для большого угла от материала, параметры решетки которого точно известны, например подмешиванием этого материала к испытываемому, то параметры решетки можно определить с большой точностью. Размер рентгенограмм определяют длиной волны падающего пучка, благодаря чему при удачном выборе длины волны обычно можно достигнуть обратного отражения для больших углов Брэгга. [6]
Уменьшение ширины дифракционных линий в процессе циклического воздействия может быть обусловлено следующими причинами: 1) обратимостью структурных изменений; 2) повышением температуры на контакте, приводящем или к частичному снятию микронапряжений, или к фазовым и структурным превращениям; 3) микроразрушением поверхностного слоя. [7]
![]() |
Зависимость коэффициента отражения звука R в метилацетате от температуры по линии насыщения. [8] |
Для исследованных жидкостей дифракционные линии в насыщенных парах вблизи точек кипения едва заметны. [9]
При этом интенсивность дифракционных линий может изменяться по следующим причинам. Во-первых, из-за отличия структуры кластера от структуры массива некоторые линии будут ослабляться, тогда как другие - усиливаться. [10]
В - ширина дифракционной линии; / - размер кристалликов; в - угол скольжения отраженного рентгеновского луча, а К - длина волны этого луча. [11]
![]() |
Действие селективно поглощающего фильтра на характеристический спектр меди. [12] |
Анализ истинной формы дифракционной линии также требует монохроматизации излучения, часто очень совершенной. [13]
Выбираем для расчетов дифракционную линию с межплоско-стным расстоянием dm 4 2866 А. [14]
У - фазы, дифракционные линии которой при повышенш температуры смещаются, приближаясь к линиям алмаза. [15]