Литография
Cтраница 3
 |
Рассчитанные границы экспозиционного профиля для линий шириной 2 мкм а слое позитивного хинондиазидного резиста толщиной 0 8 мкм ( / - расстояние от центра линии. [31] |
С точки зрения литографии электронное излучение интересно главным образом тем, что его длина волны на несколько порядков меньше, чем УФ-излучения, поэтому с помощью пучка электронов можно в принципе сформировать изображение на несколько порядков меньшее, чем с помощью света. Электронным пучком легко управлять, его можно сфокусировать в пятно диаметром менее 10 нм. Такая фокусировка необходима для формирования топологического рисунка с субмикронными размерами элементов. [32]
 |
Паразитные р-п - р и МДП-транзисторы в интегральной структуре. [33] |
По мере совершенствования литографии ( вскрытия минимальных локальных участков кремния для формирования примесных слоев) и уменьшения толщины пленки, глубины залегания переходов транзистора указанные размеры снижаются. Увеличению плотности компоновки элементов способствует объединение п-р - п транзисторов с общим коллектором в одном изоляционном кармане, диффузионных резисторов с обеспечением смещения диодных р-п переходов в закрытое состояние путем подачи в п-область кармана напряжения, которое больше максимально возможного на любом из резисторов. Допускается также объединение в один карман боковых р-п - р транзисторов с общей базой. Для снижения эффекта оттеснения эмит-терного тока увеличивают протяженность края эмиттера около вывода базы, при этом используют многополосковую структуру. [34]
АВТОЛИТОГРАФИЯ - вид литографии, при к-ром изображение на камень наносит художник-автор, в отличие от репродукц. [35]
Применение лазерных методов литографии, основанных на процессе испарения материала тонкой пленки маскирующего покрытия, позволяет исключить операции фотолитографии и осуществлять контроль размеров рисунка фотошаблона в реальном масштабе при значительном сокращении цикла его изготовления. [36]
 |
Рассчитанные границы экспозиционного профиля для линий шириной 2 мкм в слое позитивного хннондиазидного резиста толщиной 0 6 мкм ( / - расстояние от центра линии. [37] |
С точки зрения литографии электронное излучение интересно главным образом тем, что его длина волны на несколько порядков меньше, чем УФ-излучения, поэтому с помощью пучка электронов можно в принципе сформировать изображение на несколько порядков меньшее, чем с помощью света. Электронным пучком легко управлять, его можно сфокусировать в пятно диаметром менее 10 нм. Такая фокусировка необходима для формирования топологического рисунка с субмикронными размерами элементов. [38]
В ряде систем проекционной литографии принято ст0пт 0 7, что, с одной стороны, повышает крутизну пограничной кривой, дает при некоторых заданных пространственных частотах большие значения ОПФ ( ЧКХ), а с другой стороны, еще не приводит к значительным осцилляциям интенсивности ( что может, например, дать оконтуривание изображения - двойной край), резонансным эффектам, характерным для когерентного освещения. При использовании лазеров в качестве мощных источников монохроматического излучения основной проблемой является именно уменьшение когерентности, существенно ухудшающей ( когерентный шум) качество изображения и приводящей к резонансным эффектам в изображении, что особенно опасно при передаче сложной конфигурации. [39]
В ряде систем проекционной литографии принято аопт 0 7, что, с одной стороны, повышает крутизну пограничной кривой, дает при некоторых заданных пространственных частотах большие значения ОПФ ( ЧКХ), а с другой стороны, еще не приводит к значительным осцилляциям интенсивности ( что может, например, дать оконтуривание изображения - двойной край), резонансным эффектам, характерным для когерентного освещения. При использовании лазеров в качестве мощных источников монохроматического излучения основной проблемой является именно уменьшение когерентности, существенно ухудшающей ( когерентный шум) качество изображения и приводящей к резонансным эффектам в изображении, что особенно опасно при передаче сложной конфигурации. [40]
Рабочий, занимающийся литографией, мастер литографского дела. [41]
 |
Материалы для удаления фоторезистов. [42] |
Перспективным источником излучения в литографии являются рентгеновские лучи. Уровень излучения источников при рентгеновской литографии могут давать дозу облучения в 50 миллизивертов ( 5 бэр) за год в середине оборудования. [43]
ФОТОЛИТОГРАФИЯ, 1) литография с использованием печатной формы, созданной на поверхности литографского камня посредством фотокопирования; оттиск, полученный с такой формы. Осуществляется фотокопированием изображения маски на слой фоторезиста ( покрывающий кристалл), к-рый после соотв. [44]
На этом принципе построены литография и офсетная печать. Фотомеханические процессы применяются в фотолито - графин и офсетной печати. Альграфией называется способ печати с алюминиевых пластин. Картографические заведения этот род печати применяют исключительно для печати географических, а также других карт, причем здесь широко пользуются фотопроцессами. Пластины большей частью печатают на офсет-машинах. [45]
Страницы: 1 2 3 4