Электронно-лучевая литография

Cтраница 1

Электронно-лучевая литография позволила к 1970 г. резко увеличить производство МОП ИС. Начало и середина 70 - х годов - это период конструкции различных технологических методов и выбор наиболее удачного для создания ИС. [1]

Электронно-лучевая литография использует облучение резиста ( электронорезиста) потоком электронов. [2]

Применяется ионно-плазменная и электронно-лучевая литография с высокой разрешающей способностью для тонкопленочной технологии. Все это в равной степени относится и к источникам вторичного электропитания ( ИВП), управляющие цепи которых должны строиться по этому принципу. [3]

В сканирующей электронно-лучевой литографии шаблон отсутствует, а экспонирование осуществляется перемещением по поверхности пластины остросфокусированного электронного луча, включающегося и выключающегося по заданной программе. Установка содержит системы формирования и отклонения луча, генерирования рисунка и управления с помощью ЭВМ. [4]

Значительно большее разрешение может быть получено при спользовании методов электронно-лучевой литографии. Если ля оптических проекционных систем пределом разрешающей пособности являются размеры 0 5 - 1 мкм, то для электронно-лу-евых установок, разработанных в последние годы рядом зару-ежных фирм ( см. табл. 7.7), эти размеры составляют 0 06 - 1 мкм. [5]

Весьма перспективными являются исследования в области рентгеновской литографии, которая отличается от электронно-лучевой литографии меньшей стоимостью процесса и простотой оборудования. Для экспонирования используют мягкие рентгеновские лучи, которые получаются при бомбардировке электронами молибденовой, алюминиевой или медной мишеней. Соответствующие длины волн рентгеновских лучей равны 5 4; 8 3 и 13 3 А. На позитивном резисте полиметилметакрилате получены линии шириной 0 2 мкм. [6]

В 32-разрядном МП Focus фирмы Hewlett Packard, выпущенном в 1981 г., за счет использования электронно-лучевой литографии была достигнута при ширине линий 1 5 мкм и интервалах 1 мкм степень интеграции 450 000 транзисторов на МОП-кристалле. [7]

Второе немаловажное обстоятельство состоит в том, что развитие прецизионных способов ( таких, как молекулярно-лучевая эпитаксия, электронно-лучевая литография и другие) реализации различных микроэлектронных систем сделало возможным изготовление с недоступной ранее точностью тонкопленочных структур типа металл-диэлектрик-полупроводник, различного рода гетеропереходов, сверхрешеток и других контактов, на которых разыгрываются явления двумерной проводимости; появилась возможность создавать специальные тестовые структуры, эти структуры сделались доступными для исследовательских лабораторий, что в свою очередь привело к получению новых, зачастую неожиданных физических результатов. [8]

В книге Введение в микроэлектронику в достаточно общем виде без излишнего загромождения формулами и цифрами дается описание методов современной технологии изготовления БИС и СБИС, таких как электронно-лучевая литография и рентгенолитография, плазмохимическая обработка, ионная имплантация, выращивание проводящих и диэлектрических слоев; обсуждается также круг проблем, которые подлежат решению при разработке новых технологических процессов. [9]

При этом формирование затворов минимальной длины до 1 2 мкм производится с помощью оптической литографии; использование ультрафиолетовой литографии с длиной волны излучения К 220 - т - - 7 - 260 нм позволяет воспроизводимо реализовать размер L3 0 5 - т - 0 7 мкм, а электронно-лучевая литография позволяет достичь воспроизводимого размера - 0 3 мкм. [10]

Двухфазный решетчатый преобразователь. [11]

Следовательно, на высоких частотах необходимо изготовлять решетки с очень малыми периодами ( на частоте / 1 Ггц требуется L 1 мкм), что представляет значительные технологические трудности. Современная технология ( электронно-лучевая литография) позволяет получить решетки, работающие на основной частоте до единиц ГГц. При этом по сравнению с двухфазной в два раза повышается основная частота генерации, но значительно ( в десятки раз) снижается эффективность преобразования. [12]

В электронно-лучевом генераторе изображения топологическая информация, выраженная в форме электрического сигнала, через цифроаналоговый преобразователь управляет движением электронного луча, экспонирующего электронорезист, нанесенный на стеклянную пластинку. Высокое разрешение, присущее сканирующей электронно-лучевой литографии позволяет изготовлять шаблон непосредственно с рабочими размерами элементов рисунка, что приводит к сокращению технологического цикла, снижению минимально допустимых размеров элементов изображения и улучшению их воспроизводимости. При этом существенно возрастает время экспонирования и снижается производительность процесса. И все же время изготовления ЭШ электронно-лучевым методом значительно меньше, чем с помощью фотолитографии. [13]

Распространение света в световоде, 322. [14]

Несмотря на то, что первые поисковые исследования в области интегральной оптики были выполнены в конце 60 - х годов, интенсивное исследование интегральной оптики началось в 70 - е годы. Разработка оптических интегральных схем связана с применением новейших технологических приемов ( электронно-лучевая литография, ионное внедрение, жидкофазная гетероэпитаксия, плазменное ВЧ распыление и пр. [15]

Страницы: 1 2