Электронно-лучевая литография

Cтраница 2

На мембранах из нитрида кремния, окиси алюминия и полиимида методом электронно-лучевой литографии можно формировать рисунки с очень высокой разрешающей способностью ( 0 1 мкм), поскольку обратное рассеяние электронов на тонких подложках из материалов с малой атомной массой весьма мало. В качестве поглощающего слоя обычно используется пленка золота. Толщина ее должна быть подобрана так, чтобы обеспечивалась приемлемая контрастность шаблона при выбранных резисте и длине волны. Зависимость толщины слоя золота от длины волны излучения влияет на разрешающую способность шаблона. Использование рентгеновского излучения с большей длиной волны и высококонтрастных резистов позволяет уменьшить толщину поглощаемого слоя золота. [16]

Технология накладывает свои ограничения, обусловленные размещающей способностью фотолитографии. Разрешающая способность определяется дифракцией световых волн и составляет 0 5 - 1 мкм. Переход к электронно-лучевой литографии позволяет повысить разрешающую способность в 5 - 10 раз, а следовательно, перейти к изготовлению структур с минимальными размерами элементов 100 - 200 нм. Возможности микроминиатюризации определяются минимальным числом атомов, необходимых для реализации того или иного процесса. [17]

Ключевыми элементами интегральной оптики являются волноводные линзы. Особый интерес представляют линзы дифракционного типа ( на основе ДР) и линзы Френеля. Линзы на основе брэгговских ДР с переменным наклоном штрихов, полученные электронно-лучевой литографией волноводной структуры As2S3 - Si02 - S, обладают дифракционной эффективностью до 90 % и предельными фокусирующими свойствами. [18]

Характеристики диодов с субмикронными барьерами Шотки. [19]

Расчеты показали, что наиболее перспективными материалами для получения наивысших рабочих частот являются InSb и - трехкомпонентное соединение HgjcCdi - jcTe, на которых могут быть созданы диоды для работы на длинах волн до 10 - 30 мкм. Например, диоды с барьером Шотки диаметром 0 5 мкм, получаемые осаждением платиновых контактов на однородно легированный - GaAs с концентрацией примесей 5 - Ю18 см-3, имеют емкость переходов при нулевом смещении 1 3 - 10 - 3 пФ и сопротивление растекания 19 ЗОм, что дает значение максимальной рабочей частоты fc ( 2яг3Сп) - 9 - 1012 Гц. Диоды с минимальными размерами барьеров около 0 1 мкм получаются также способом электронно-лучевой литографии. [20]

Фотолитография заключается в нанесении на пластину фоточувствительного слоя. Этот слой засвечивают через маску, и при проявлении на пластине образуется рисунок определенной конфигурации. При травлении пластины в плавиковой кислоте под рисунком SiO2 не удаляется, окна в защитной пленке SiO2 вскрываются только на неосвещенных участках. Фотолитография позволяет создать рисунки с размерами элементов не менее 2 мкм. Более высокой разрешающей способностью обладает электронно-лучевая литография, позволяющая при засветке пластины электронным лучом создавать элементы с минимальными размерами до 0 1 мкм. [21]

Страницы: 1 2