Ловушка - носитель - заряд - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Любить водку, халяву, революции и быть мудаком - этого еще не достаточно, чтобы называться русским. Законы Мерфи (еще...)

Ловушка - носитель - заряд

Cтраница 1


Ловушки носителей заряда могут находиться не только в объеме, но и на поверхности кристалла. В случае химических примесей их присутствие на поверхности даже более вероятно, чем в объеме. Кроме ловушек ( а также антиловушек, т.е. центров рассеяния носителей), связанных с присутствием посторонних молекул, на поверхности ковалентного кристалла образуются, как известно [388, 359], свободные ( оборванные) связи, могущие также привести к возникновению локализованных состояний, энергии которых на-ходятся внутри энергетической щели кристалла. На границах молекулярного кристалла оборванные связи не возникают и поверхностных состояний такого рода здесь нет.  [1]

2 Измерения терио активированного тока на монокристаллах РсНа и РсРЬ. [2]

В этой методике все ловушки носителей заряда при низкой температуре заполняются под действием освещения, после чего при повышении температуры измеряется ток, вызванный освобождением носителей из ловушек. Такие измерения позволяют непосредственно определить концентрацию ловушек и распределение их по энергиям в запрещенной зоне. Сравнивая результаты, приведенные в табл. 3.9 и 3.10, можно видеть, что энергетические характеристики ловушек, полученные с помощью двух методик, хорошо согласуются между собой.  [3]

Ряд полезных сведений о природе ловушек носителей заряда, можно получить из измерений электрических характеристик монокристаллов низкомолекулярных органических полупроводников, содержащих определенные концентрации примесных центров, которыми являются молекулы различных органических веществ.  [4]

5 Измерительная ячейка для определения токов термодеполяризации. [5]

При нагревании с постоянной скоростью происходит дезориентация замороженных диполей и высвобождение из ловушек носителей зарядов, в результате чего появляется термоток разряда электрета. Иногда ТСД называют и токи разряда электретов, заряженных вследствие инжекции, подобно тому, как заряжение диэлектрика вследствие коронного разряда или облучением электронным пучком называют иногда поляризацией. На наш взгляд, такое название неправомерно, поскольку инжекция приводит лишь к заряжению. Естественно, присутствие зарядов приводит к поляризации диэлектрика, но это уже вторичный процесс.  [6]

При численном решении, предложенном Бонхэмом и Джарвисом [44], поле F рассматривается как независимая переменная величина, а ловушки носителей заряда считаются мелкими и отвечающими дискретным значениям энергии или экспоненциально распределенными по энергиям. Далее предполагается, что / су в р, и параметры захвата не зависят от местоположения ловушек.  [7]

Электрет представляет собой аккумулятор, энергию которого можно быстрее реализовать, если ускорить процесс разряжения, например, нагреванием. При этом происходит дезориентация замороженных диполей и высвобождение из ловушек носителей зарядов, в результате чего появляется термоток разрядки.  [8]

Электроны и дырки исчезают только вследствие рекомбинации друг с другом. Это значит, что ни на поверхности, ни внутри полупроводника нет ловушек носителей заряда.  [9]

10 Температурная зависимость дисперсионных параметров электронного переноса в пленках PP-a - Si. H. [10]

В работе [126] напротив, отмечена недисперсионность электронного переноса. Дисперсионный характер переноса в PP-a - Si: H объясняется высокой концентрацией в этом материале ловушек носителей заряда. В работах [124-125] измерена температурная зависимость дисперсионного параметра для электронов. Богее точной аппроксимацией оказывается выражение а Т / Т0 С, где С - постоянная, отрицательная по величине.  [11]

12 Температурная зависимость дисперсионных параметров электронного переноса в пленках PP-a - Si. H. [12]

В работе [126] напротив, отмечена недисперсионность электронного переноса. Дисперсионный характер переноса в PP-a - Si: H объясняется высокой концентрацией в этом материале ловушек носителей заряда. В работах [124-125] измерена температурная зависимость дисперсионного параметра для электронов. Богее точной аппроксимацией оказывается выражение а Т / Т0 С, где С - постоянная, отрицательная по величине. Авторы [124] получили для высоких температур неравенство аа ah, причем обнаружили, что при температурах, выше 300 К, величина аь становится температур-но независимой. Таким образом, заметное несоответствие между экспериментальными наблюдениями и теорией [120, 135] здесь также обусловлено некорректностью упрощающих допущений, касающихся распределения ловушек по энергиям и сечений захвата носителей. Как впервые замечено в [125], плотность состояний может спадать по направлению к середине запрещенной зоны медленнее, чем по экспоненциальному закону. Такое поведение хвоста плотности состояний и может быть причиной расхождения теории и эксперимента.  [13]

14 Зависимость пробивного напряжения ( А и тангенса угла диэлектрических потерь ( Б облученных пленок из ПЭНД от температуры.| Влияние облучения и последующей термообработки на удельное объемное сопротивление ( pv пленки. [14]

Характерно, что аналогичная зависимость, снятая на образцах, подвергнутых предварительному прогреву в течение 5 мин. Возможно, что часть носителей зарядов, образовавшихся при облучении, захватывается ловушками и не участвует в процессе электропроводности; прогрев способствует освобождению таких носителей из ловушек и соответственно снижению Рг. При повторном прогреве этого эффекта не наблюдается, так как захваченных в ловушках носителей зарядов уже не остается.  [15]



Страницы:      1    2