Cтраница 2
Возникновение в энергетических зонах локализованных состояний и их электрофизическая активность обусловлены в основном структурой химической связи вблизи дефектов, наличием примесей замещения и внедрения и электронным взаимодействием между подрешетками матрицы. Легирование примесями замещения используется с целью управления типом и концентрацией носителей заряда. А что можно сказать относительно других локализованных состояний. Их электрофизическая активность проявляется обычно через образование центров рекомбинации и ловушек носителей заряда. Для подвижности носителей заряда в приборах, основанных на дрейфе электронов и дырок, такие центры-убийцы всегда вредны. Имеются, однако, примеры полезного их использования для уменьшения времени жизни неосновных носителей заряда и ускорения актов электронно-дырочного обмена. [16]