Поверхностная ловушка

Cтраница 1

Поверхностные ловушки принимают участие и в процессе генерации. Тогда генерация будет преобладать над рекомбинацией, причем число неосновных носителей, образующихся на единице поверхности в единицу времени ( скорость генерации), пропорционально опов. Концентрация неосновных носителей возрастает, стремясь к равновесной. [1]

Смещение максимума скорости поверхностной рекомбинации в сторону положительного потенциала из-за того, что эффективное сечение захвата у дырок больше, чем у электронов. [2]

Поверхностные ловушки рекомбинации бывают однозарядными и многозарядными. Экспериментально установлено, что на поверхности могут существовать двухзарндные ловушки рекомбинации. Их особенность состоит в появлении второго уровня для захвата второго электрона лишь после захвата первого электрона. [3]

В процессе рекомбинации поверхностные ловушки действуют подобно объемным и при возникновении неравновесных процессов в полупроводнике они участвуют в этих процессах наравне с объемными. Дополнительная генерация носителей заряда изменяет степень заполнения ловушек захвата и рекомбинации как в объеме полупроводника, так и па его поверхности. Особенностью поверхностной рекомбинации является то обстоятельство, что появление неравновесных носителей заряда на поверхности под действием какого-либо возбуждающего фактора приводит к изменению величины поверхностного заряда и захвату части этих носителей поверхностными состоямими. [4]

Зависимость поверхностной проводимости Ao и плотности поверхностного заряда р. от энергии еф5 в приповерхностном слое.| Зависимость поверхностной проводимости от общего индуцированного ааряда р и заряда в приповерхностной области Р. [5]

Существование поверхностных состояний, играющих роль поверхностных ловушек и центров рекомбинации, приводит к поверхностной рекомбинации. [6]

Полный поверхностный заряд складывается из заряда поверхностных ловушек и заряда оксида и может быть как положительным, так и отрицательным. [7]

Влияние температуры прогрева во влажном азоте в течение Ю мин на скорость поверхностной генерации Sg ( ps 1 2 1018 см-3 ( /, дифференциальную плотность.| Сопоставление скоростей поверхностной генерации 8 ист получаемых в условиях истощающих изгибов зон, с дифференциальной плотностью глубоких ПЭС, локализованных вблизи середины запрещенной зоны. [8]

Обсуждаемая корреляция выражена наиболее отчетливо для мелких поверхностных ловушек, локализованных в нижней половине запрещенной зоны. [9]

Для уменьшения потерь, связанных с поверхностными ловушками, используют фоновый заряд, вводимый во все элементы. При этом управляющее напряжение тактовых импульсов ( см. рис. 11.5) понижают не до нуля, а до некоторого положительного значения i / зыин, равного, например, 2 В. При этом в соответствующих элементах, где формируются неглубокие потенциальные ямы, сохраняется фоновый заряд, заполняющий поверхностные ловушки. Тем самым уменьшаются потери зарядового пакета при переносе. Кроме того, часть электронов захватывается ловушками, расположенными между затворами. [10]

Согласно [258] захват и эмиссия заряда из поверхностных ловушек определяются различными механизмами Пуля. В частности, для поверхностных состояний эмиссионная константа часто оказывается близкой к времени переноса в ячейках накопления. [11]

При однородном распределении заполненных ловушек одной полярности и отсутствии поверхностных ловушек число ловушек Na Qle, где е - заряд носителя ( электрона); Q - общий захваченный заряд. При неоднородном распределении заряда в объеме или наличии носителей разных знаков Q будет больше при той же сгэфф - Наибольшие наблюдаемые аэфф1 - 10-в Кл / см2, и число заполненных ловушек ( вычисленное) достигает 6 - Ю16 см-3. [12]

Серьезное влияние на параметры МДП транзистора могут оказать исходные или вновь создаваемые поверхностные ловушки. [13]

Процесс установления равновесного состояния на поверхности полупроводника также включает взаимодействие поверхностных ловушек со своими зонами н взаимодействие носителей заряда посредством генерации н рекомбинации электронно-дырочных пар. Электрической нейтральности на поверхности соответствует равенство поверхностного заряда суммарному заряду ионизированных поверхностных доноров и акцепторов. [14]

На этих частотах потери зарядового пакета обусловлены захватом части электронов поверхностными ловушками. За время переноса ловушки не успевают отдать все захваченные ими электроны. Потери такого типа увеличиваются, если данный зарядовый пакет переносится через элементы, не содержавшие перед этим других зарядовых пакетов, так как в них поверхностные ловушки оказываются незаполненными. [15]

Страницы: 1 2 3 4