Поверхностная ловушка

Cтраница 2

Экспериментальные ( точки и теоретические ( линии зависимости Sg от ps, полученные на двух термически окисленных образцах кремния для различных глубин нестационарного слоя истощения W. [16]

Весьма важным с точки зрения модельных представлений является выяснение характера взаимосвязи между плотностью перезаряжающихся поверхностных ловушек и генерационно-рекомби-национными характеристиками поверхности полупроводника. Для получения дополнительной информации в отношении характера этой взаимосвязи в работах [35, 361] исследовано влияние низкотемпературных прогревов на спектры дифференциальной плотности поверхностных. Оказалось, что прогревы при сравнительно низких температурах оказывают влияние не только на вид спектра ПЭС, но и на поверхностные генерационные характеристики кремниевых структур МДП. [17]

Величину эффекта ноля можно оцепить, если предположить, что заряд, связанный с поверхностными ловушками, не меняется при наложении поля. Так как в глубине полупроводника не может быть электрического поля, то, применяя формулу Гаусса к свободной поверхности полупроводника, можно связать полный заряд Q в области пространственного заряда с напряженностью поля ( 20) непосредственно у поверхности. [18]

Оптически стимулированное образование дырок, наблюдавшееся в антрацене после фотоокисления поверхности [402], можно объяснить присутствием несобственных поверхностных ловушек. Применяя данный метод ( см. гл. Однако полной уверенности в том, что поверхностные электронные состояния представляют собой молекулярный антрахи-нон, до сих пор нет. [19]

Подвижность при эффекте поля в зависимости от искривления энергетических зон на поверхности в предположении, что заряд, связанный с поверхностными ловушками, не зависит от приложенного поля. [20]

С - К-характеристики, т.е. зависимости емкости от напряжения на затворе, могут использоваться для определения концентрации свободных и захваченных поверхностными ловушками носителей, а также ширины слоя обеднения вблизи порога, по крайней мере при достаточно высоких температурах, когда носители в объеме не выморожены. Существует много методов обработки С - У - характеристик, но все они далеко не тривиальны и не бесспорны. [21]

Объяснение фотосорбции кислорода на электронных полупроводниках ZnO и ZnS следует искать в том, что при освещении электроны накапливаются на поверхностных ловушках согласно теоретическим выкладкам Кобаячи и Каваи [18] или теории Воль-кенштейна [19], принимая во внимание возможность адсорбции молекулярных радикалов на этих электронах. Кислород может рассматриваться как бирадикал. [22]

Эти внешние проявления в настоящее время связывают с механизмами разогрева электронов при больших плотностях тока, междолинным рассеянием электронов в арсениде галлия и эффектами поверхностных ловушек, которые хорошо объясняют частотную зависимость избыточных шумов. Несколько дискуссионна гипотеза о микрокустовом эффекте [94], согласно которой ДБШ может быть представлен параллельным соединением нескольких неравноценных микродиодов. [23]

Образовавшиеся ионы Н весьма быстро двшкутся через окисел к поверхности кремния и там в основном находятся в том же зарядовом состоянии, быстро захватываясь поверхностными ловушками. [24]

Усиливающее влияние адсорбированных молекул 02 и хинона, обладающих сродством к электрону, на поверхностный фотоэффект окиси цинка можно объяснить тем, что они действуют как поверхностные ловушки электронов, способствующие удлинению времени жизни фотоэлектронов в зоне проводимости. Усиливающее действие смесей паров воды с кислородом или этанола с кислородом на фотоэффект окиси цинка, по-видимому, сводится к тому, что адсорбция молекул воды или этанола блокирует энергетически более глубокие уровни прилипания на поверхности ZnO и тем самым создает возможность накопления электронов на менее глубоких кислородных уровнях. [25]

Приведенная выше теория позволяет определить ток объемной рекомбинации при изменении f / gg, но ток поверхностной рекомбинации может дать один или несколько пиков своей величины, поскольку действительная природа его изменения будет также зависеть от распределения плотности поверхностных ловушек в запрещенной зоне и будет связана с сечениями захвата носителей. Поверхностная рекомбинация достигает максимума, когда плотности электронов и дырок на поверхности равны ( это соответствует условию почти собственной проводимости на шиерхности), если сечения захвата поверхностных ловушек электронов и дырок не сильно различаются. [26]

Во многих полупроводниках большая часть фотоэлектронов образуется за счет возбуждения из валентной зоны, благодаря чему одновременно возникают и дырки. Поверхностные ловушки могут действовать как центры рекомбинации электронов с дырками, и, следовательно, изменение числа или энергии этих уровней или высоты поверхностного барьера может привести и к изменению скорости рекомбинации. [27]

Термические энергии активации темновой проводимости Ет, очевидно, относятся к локальным примесным уровням, действующим как ловушки. Поверхностные ловушки, вероятно, создаются избыточными атомами Т1 на поверхности, так как их число увеличивается при эвакуации и уменьшается при адсорбции паров иода. Действие адсорбированных молекул 12 не сводится к этому. Они, по-видимому, создают глубокие ловушки ( 1.0 - 1.2 эв), которые ответственны за длинноволновую фотоэлектрическую чувствительность ТП и в то же время за процесс сенсибилизации. [28]

После прекращения возбуждения величина электростатического потенциала снова изменится, так как в зонах отсутствуют неравновесные носители заряда и компенсация поверхностного заряда осуществляется за счет перераспределения равновесных носителей заряда. Захваченные поверхностными ловушками носители со временем возвращаются в разрешенные зоны. [29]

Температурный метод Грея - Брауна [368] основан на сравнении высокотемпературной С ( У) - кривой с низкотемпературной. В последнем случае активность поверхностных ловушек заморожена и они могут выступать только как фиксированный заряд. [30]

Страницы: 1 2 3 4