Cтраница 2
Все энергетические уровни, разрешенные в полупроводниковом кристалле неограниченных размеров, разрешены и в ограниченном кристалле. Обрыв решетки приводит лишь к тому, что вблизи поверхности кристалла появляются разрешенные дискретные энергетические уровни или зоны в тех областях энергии, которые запрещены для неограниченного кристалла. Электроны, занимающие эти уровни, не - могут проникать внутрь кристалла и локализуются у его поверхности. Такие уровни называются поверхностными или уровнями Тамма. Поверхностные уровни могут служить донорами, акцепторами и центрами прилипания. Заполнение акцепторных уровней означает локализацию электронов, а удаление электронов с донорных уровней - локализацию дырок на этих уровнях, в результате чего происходит заряжение поверхности отрицательным или положительным зарядом. В соответствии с условием электрической нейтральности оно должно сопровождаться возникновением в приповерхностном слое объемного заряда, нейтрализующего поверхностный заряд. Это осуществляется притяжением к поверхности носителей заряда со знаком, противоположным знаку заряда на поверхности, и отталкиванием носителей заряда одного знака. В результате приповерхностный слой полупроводника оказывается обедненным носителями заряда одного знака с поверхностным зарядом и обогащенным носителями заряда противоположного знака. [16]