Локализация - отрицательный заряд
Cтраница 3
Этим расчетом был качественно выяснен квантово-механический смысл валентного штриха - основного символа языка химических структурных формул. Из расчета молекулы водорода, выполненного Гейтлером и Лондоном, следовало, что валентный штрих имеет смысл пары электронов с антипараллельными спинами. Волновая функция этой электронной пары обеспечивает в - пространстве между двумя атомными ядрами локализацию отрицательного заряда электронов, достаточную для удержа-ния обоих ядер на таком расстоянии, при котором имеет смысл рассматривать всю систему, образованную двумя атомами, как единую молекулу. [31]
Проявление динамического эффекта для ионов III типа в отличие от ионов I типа свидетельствует о том, что последние более прочно связаны с каркасом цеолита. Основная причина появления ионов III типа состоит в следующем. Вероятно, вначале происходит заполнение энергоемких мест, при последующем росте содержания меди ионы Си2 располагаются в менее энергетически выгодных местах. Это обеспечивается как первоначальной стабилизацией ионов Си2 в местах Si и далее в местах 8ц, 8щ и других, так и неэквивалентностью мест за счет неоднородного распределения катионов А13 в решетке цеолита. Последнее приводит к появлению областей повышенной локальной концентрации ионов алюминия. Если ионы А13 располагаются через один катион, то ион Си2 может полностью компенсировать заряд в данном месте. И, наконец, ионы АР стабилизируются в противоположных местах шестичленного кольца, где компенсация заряда ионом Си2 будет затруднена ввиду локализации отрицательного заряда на противоположных концах кислородного кольца. Таким образом, ионы Си2 в Y-цео-лите стабилизируются первоначально в местах, обеспечивающих наиболее полную компенсацию заряда решетки цеолита. [33]
Страницы: 1 2 3