Локализация - носитель
Cтраница 1
Локализация носителя на таком дефекте означает переход нейтральной формы хемосорбции в заряженную. [1]
 |
Зависимость логарифма концентрации электронов. п ( 1 / п от 1 / Г в полупроводнике п-тнаа. [2] |
Оно объясняется локализацией носителей на примесях. Однако при достаточно большой концентрации примесей это свойство исчезает. При достаточно высокой концентрации примесей существует остаточная концентрация подвижных электронов ( или дырок), примерно равная концентрации примесей а слабо зависящая от Т при низких темп - pax. Это при - - водит к появлению остаточной электропроводности металлич. [3]
В одномерных системах становится очень важной локализация носителей заряда, обусловленная неупорядоченностью в этих соединениях. [4]
Волькенштейн [5] впервые показал, что локализация носителя заряда на пустом адсорбционном ПС ( в его терминологии - нейтральная форма хемосорбции) приводит к упрочнению связи и возникновению реакционноспособной заряженной ионно-радикальной формы хемосорбции. Тем самым была показана возможность управления окислительно-восстановительным катализом за счет возбуждения электронной подсистемы полупроводника. Однако, как мы это неоднократно показывали [3], очень многие окислительно-восстановительные реакции протекают не по радикальному механизму. [5]
Ряд исследователей часто представляют электронный переход при хемосорбции как локализацию носителя непосредственно на адсорбированной частице с превращением ее в радикал или ионо-радикал. Однако такое рассмотрение значительно сужает представление об электронных процессах, происходящих в твердом теле. Поскольку адсорбент и адсорбат [1] рассматриваются как единая квантовомеханическая система, электронный переход в этом случае означает только переход носителя из одного энергетического состояния в другое, без указания геометрических параметров перехода. В общем случае максимум волновой функции локализованного электрона может не совпадать с хемосорбированной частицей. Последнее обстоятельство особенно вероятно для реальной дефектной поверхности. [6]
В простейшем случае, когда можно пренебречь поверхностными состояниями и процессами локализации носителей, а запрещенная зона велика, по данным емкостных измерений можно легко рассчитать основные характеристики перехода. [7]
Следует учесть, что не все органические кристаллы проявляют ту же степень локализации носителей, какая имеет место в случае антрацена. [8]
Вследствие узости этой зоны становится существенным электростатическое отталкивание электронов, что при определенных условиях может привести к локализации носителей. [9]
В газо-жидкостной хроматографии используется не адсорбент, как в газо-адсорбционной, а растворитель ( неподвижная фаза), нанесенный па инертный носитель, функции которого сводятся к локализация носителя в пространство в состоянии, обеспечивающем наибольшие значения коэффициентов массопередачп. Поэтому носитель должен обладать достаточно доступной поверхностью. [10]
Обнаруженный эффект заставляет серьезно задуматься о правомерности известных представлений теории физической адсорбции. Действительно, локализация носителей вблизи адсорбированной частицы существенно изменит глубину минимума потенциальной кривой, рассчитанной из теории дисперсионных сил. Поляризованный атом изменяет параметры дефекта, но сам заряженный дефект в свою очередь может изменить электронное состояние адсорбированной частицы. [11]
В последнее время активно исследуется возможность создания эффективных излучающих устройств на основе гетероструктур SiGe / Si, содержащих достаточно регулярные сетки дислокаций несоответствия, которые эффективно захватывают неравновесные носители заряда и экситоны за счет создаваемых вокруг них достаточно дальнодействующих полей упругих напряжений. Наблюдаемая при этом локализация носителей способствует появлению так называемой дислокационной люминесценции, в частности на длине волны - 1 53 мкм. Природа этого явления еще далеко не ясна. Но достаточно надежно установлено, что дислокационная люминесценция возникает в сетке дислокаций несоответствия, имеющей достаточно большое количество пересечений дислокаций из разных плоскостей скольжения. [12]
Колебания решетки характеризуются постоянными времени 10 - ч - Ю-12 с. Поэтому они также могут приводить к локализации носителей. [13]
Если вместо этого сделать предположение, что нормальные носители равномерно распределены по материалу, а не концентрируются в центрах токовых трубок, наблюдаемое поглощение требует чрезвычайно малого параметра упорядочения. Другим чрезвычайно сильным аргументом в пользу предположения о локализации нормальных носителей в центре трубок потока является обнаруженная анизотропия, которая будет обсуждаться ниже. [14]
Коэффициент усиления S определяется как отношение числа носителей, прошедших через внешний контур, к числу фото-лов, поглощенных фотопроводником за тот же промежуток времени. Величина S может быть на несколько порядков ниже первичного квантового выхода из-за локализации носителей на ловушках в объеме материала. [15]
Страницы: 1 2