Локализация - носитель
Cтраница 2
Поправка в аху к основному члену - Ne / B происходит из-за рассеяния электронов, если при этом не учитывать локализацию носителей. [16]
Очевидно, что отклик достигает максимума при некотором значении концентрации электронов на почти пустом уровне и при некотором значении концентрации дырок на почти заполненном уровне. Дальнейший рост концентрации электронов или дырок вызывает уменьшение отклика, т.е. усиление локализации. Отсюда следует, что локализация носителей обусловлена не только случайным полем, но и каким-то еще дополнительным фактором. Мы полагаем, что речь идет о кулоновском взаимодействии, роль которого возрастает по мере увеличения концентрации электронов или дырок, уменьшающей влияние фоновой неупорядоченности. [18]
В этом случае средняя длина свободного пробега носителя заряда превышает постоянную решетки. Свободные электроны не локализованы на одной молекуле. При таких подвижностях длина волны электрона захватывает несколько соседних молекул, образующих кристалл. Целый ряд процессов приводит к локализации носителей заряда в определенных местах решетки, а процесс переноса носителей заряда лучше описывается с помощью прыжкового или туннельного механизма проводимости. [19]
Точное значение постоянной тонкой структуры а позволяет проверить теоретические выводы квантовой электродинамики и уменьшить неопределенность в значениях других фундаментальных констант. Дается краткий обзор различных традиционных методов измерения а и представление о новом квантовом эффекте в твердом теле ( квантованное холловское сопротивление двумерного электронного газа), который позволяет непосредственно определять величину а. После описания свойств двумерного электронного газа в сильном магнитном поле приводятся результаты измерений квантованного холловского сопротивления. Анализируются поправки, связанные с локализацией носителей, процессами рассеяния и конечностью геометрических размеров образца. [20]
В настоящее время известны молекулярные диэлектрики, металлы и даже сверхпроводники. Из-за низкой концентрации носителей заряда полупроводники весьма чувствительны к дефектам и химическим примесям, что увеличивает трудности химического синтеза. Кроме того, молекулярные полупроводники обладают очень сильной анизотропией, что повышает вероятность локализации носителей на дефектах. Двумерные молекулярные системы должны устранить эти затруднения. [21]
 |
Материалы полупроводниковых излучателей. [22] |
В непрямозонных полупроводниках ( например, в фосфиде галлия GaP) минимум зоны проводимости смещен по оси импульса. Излу-чательная рекомбинация электрона с дыркой идет лишь на некотором комплексе, которому передается избыточный импульс и, соответственно, часть энергии. Длина волны излучения при непрямых переходах получается больше. Тем не менее излучательная рекомбинация может эффекхивно идти через подходящие примесные центры в два этапа: сначала происходит локализация носителя одного знака на примесном центре, а затем рекомбинация этого носителя со свободным носителем другого знака. [23]
Устойчивая фотополяризация может быть создана не во всех кристаллах. Прежде всего, кристалл должен обладать фотопроводимостью. Кроме того, для того чтобы поляризованное состояние сохранялось сколь-либо длительное время, необходимо, чтобы кристалл имел глубокие уровни прилипания и не имел мелких. Кристалл, в котором создается фотополяризация, может обладать в общем случае биполярной фотопроводимостью. Очевидно, однако, что в этом случае для создания устойчивой фотополяризации необходима локализация носителей обоих знаков. [24]
Такое предположение служит основой всех моделей локализованных состояний. Носители заряда оказываются локализованными, поскольку их соседи ориентированы так, что электростатические взаимодействия достигают максимума. Локализация электронов и дырок может происходить и под влиянием внутримолекулярных колебаний. Существует конкуренция между процессом де-докализации и различными релаксационными механизмами: среди них можно назвать решеточное ( фононное) или колебательное рассеяние. Значения времен релаксации конкретных процессов показывают, может ли данный механизм приводить к эффективной локализации носителей заряда. [25]
На самом деле подвижность носителей заряда в этих веществах очень мала. В первой главе мы коротко рассмотрим некоторые основные представления физики твердого тела и разрешим эту семантическую проблему. В книге всюду, где только возможно, дается химическая интерпретация таких физических понятий, как подвижности носителей, уровни Ферми или зонная структура, В каждом случае подобная химическая интерпретация связана с некоторым упрощением. Однако мы считаем, что такой перевод на химический язык сформирует у химиков полезные интуитивные предс. Этот выигрыш несомненно компенсирует некоторую потерю точности физических формулировок. В тех местах, где речь идет о различных типах проводимости, основное внимание уделяется механизмам, наиболее типичным для молекулярных материалов. Во всех случаях особо подчеркивается влияние природы и концентрации примесей па электрические свойства. Определяется также относительный вклад структурных дефектов и химических примесей в процессы локализации носителей заряда. [26]
Страницы: 1 2