Локализация - электрон
Cтраница 1
Локализация электрона или локализация дырки на адсорбированном атоме А, находящемся в состоянии слабой гомеополярной связи с кристаллом, приводит, как увидим ниже, к изменению характера связи атома с кристаллом. Слабая гомео-полярная связь в результате локализации электрона переходит в прочную гомеополярную связь, а при локализации дырки - в ионную связь. [1]
 |
Вольт-амперная характеристика полупроводника со сверхрешеткой. [2] |
Локализация электронов приводит к тому, что ток должен быть связан с переходами между состояниями, обусловленными рассеянием в пределах одной зоны, отмеченными на рис. 10.20, б горизонтальными линиями. [3]
Локализация электронов, выделяющихся при возбуждении, может происходить лишь в особых местах деформационной кристаллической решетки. [4]
Локализация электронов в диэлектрике Мотта сопровождается магнитным ( чаще всего - антиферромагпитным) упорядочением. [5]
Локализация электронов проводимости в интерметаллидах снижает их электрическую проводимость и пластичность, уменьшая, таким образом, типичные металлические свойства. [6]
Для локализации электрона в области Ах его необходимо описать в квантовой механике системой плоских монохроматических волн де Бройля, обеспечивающих выполнение условия: VP 2 0 везде, кроме интервала Ах на оси X. У такой системы волн уже нет определенной частоты ( или волнового числа), а у электрона - строго фиксированного импульса рх. [7]
Доказатель-ггва локализации электрона на атомах углерода отсутствуют. С этого периода концентрация ПМЦ на юздухе начинает резко уменьшаться, но в вакууме она продолжает увеличиваться. В вакууме фиксируются два сигнала - широкий и узкий, га воздухе узкий сигнал исчезает ( рас. [8]
Вероятность локализации электронов из полосы проводимости на обе системы уровней одинакова. Электроны, поднятые термическим путем с уровней фосфоресценции в полосу проводимости, практически не локализуются на уровнях вспышки. Формулированные в этом пункте положения являются результатом экспериментов с SrS - Ce, Sm, La-фосфорами, обладающими большой вспышечной способностью. [9]
Неточность в локализации электрона дх равна приблизительно 2РА, если разница в длинах пути равна половине длины волны К света, освещающего электрон. [10]
 |
Константы 1Н, Н - спин-спинового взаимодействия для жидкого изохинолина ( Гц [ 16в ]. [11] |
Подсчет энергии локализации электрона [18] в катионе изохинолиния показывает, что в протонированном основании положения 5 и 8 более доступны для электрофильной атаки. Поэтому замещение по положению 5 должно протекать через более пред - почтительный о-комплекс. [12]
 |
Константы 1Н 1Н - спин-спинового взаимодействия для жидкого изохинолина ( Гц [ 1бв ]. [13] |
Подсчет энергии локализации электрона [18] в катионе изохинолиния показывает, что в протонированном основании положения 5 и 8 более доступны для электрофильной атаки. Поэтому замещение по положению 5 должно протекать через более предпочтительный а-комплекс. [14]
Взаимосвязь между локализацией электронов ( или, наоборот, делокализацией) и корреляцией имеет важное значение для химической связи. [15]
Страницы: 1 2 3 4