Cтраница 3
При регистрации рентгеновских лучей с помощью ионизационного прибора имеется возможность проследить за изменением интенсивности дифракционного луча при отклонении кристалла от положения, отвечающего условию Брегга - Вульфа. Эта особенность и используется при уточнении юстировки кристалла в дифрактометрах. Монокристальная приставка к дифрактометру УРС-50И позволяет проводить исследование порядным методом по экваториальной схеме. [31]
Отсутствие полной параллельности в ориентации блоков монокристалла также может влиять на распределение интенсивности в дифракционных лучах и на размеры пятен. При исследовании методом вращения блоки, имеющие различные ориентации, отражают рентгеновские лучи в несколько различные моменты времени. В обычном методе вращения ( с неподвижной пленкой) это обстоятельство не может сказаться на размерах пятна: отдельные блоки последовательно занимают ( одно и то же. Но при получении рентгенгониометри-ческих снимков движение пленки, синхронное вращению кристалла, приводит к попаданию последовательно отраженных лучей в разные точки пленки, и пятна растягиваются в той или иной степени в зависимости от интервала изменений ориентации блоков. [32]
Каждый дифракционный луч характеризуется своей тройкой чисел р, q, r, называемых индексами дифракционного луча. Физический смысл индексов очевиден. В условии ( 22) целое число т означает разницу в количестве длин волн, укладывающихся на пути лучей, рассеянных соседними атомами атомного ряда. [33]
Сравнительно просто производится уточнение юстировки в дифрактометре, где имеется возможность проследить за изменением интенсивности дифракционного луча при изменении ориентации кристалла ( см. стр. [34]
Вместе три числа р, q, r характеризуют одно из дифракционных направлений и называются индексами дифракционного луча. [35]
Точность определения межплоскостного расстояния dpqr, а следовательно, параметра а зависит от угла отражения Ф дифракционного луча. [36]
Вместе три числа р, q, r характеризуют одно из дифракционных направлений и называются индексами дифракционного луча. [37]
Точность определения межплоскостного расстояния dpqr, а следовательно, параметра а зависит от угла отражения - & дифракционного луча. [38]
По отношению же к кристаллу структурная амплитуда играет роль всего лишь одного из факторов, определяющих интенсивность дифракционного луча. Поэтому определение структурной амплитуды отражения должно быть дано в несколько иной форме. Чтобы избавиться от различного рода добавочных факторов ( интегральное, поглощения, экстинкции), будем считать кристалл бесконечным, непоглощающим и идеально мозаичным. [39]
![]() |
Общий случай поворота кристалла в отражающее положение. [40] |
Поскольку далее будут рассмотрены кинематические схемы некоторых наиболее распространенных монокристальных дифракто-метров, следует несколько детальнее остановиться на понятии направляющих углов дифракционного луча. [41]
В отличие от лауэграмм, на которых запечатлена вся дифракционная картина, в ионизационных спектрографах ( УРС-25-И, УРС-50-Й) фиксируется отдельный дифракционный луч. Для каждого вещества существует несколько углов падения, таких, что счетчик фиксирует отраженный луч только, если он расположен под углом 2й к падающему лучу. Поэтому при работе с кристаллами одного вещества рентгеновская трубка и счетчик фиксируются в заданном положении. Путем поворота кристалла фиксируют угол, при котором стрелка счетчика показывает максимальную интенсивность. В этом положении угол падения луча на кристаллографическую плоскость равен &, поскольку рентгеновские лучи отражаются не от поверхности кристалла, а от кристаллографических плоскостей. [42]
![]() |
К выводу уравнения Брегга. [43] |
Условие Лауэ и уравнение Брэгга, имея алгебраическую форму, по сути выражают связь между геометрическими параметрами - направлениями первичного пучка, дифракционного луча, ориентацией кристалла и его параметрами. [44]
Это означает, что в сущности мы имеем дело с системой, состоящей из четырех уравнений, из которой требуется найти три параметра дифракционного луча. [45]