Отрицательное магнетосопротивление

Cтраница 1

Отрицательные магнетосопротивления слабо гра-фитизированных углей были интерпретированы Мрозов-ским и Чаберским [38], которые предположили, что они в некотором смысле связаны с положительными носителями тока. Если в проводящей зоне есть достаточно электронов - при комнатной температуре это бывает в случае пиролизных углей, осажденных при Td 1800 - то появляется индуцированное электронами положительное магнетосопротивление, которое превышает эффекты собственных и избыточных дырок. [1]

Однако отрицательное Магнетосопротивление в InSb р-типа, по-видимому, представляет собой характерное свойство этого материала и, возможно, связано с процессами проводимости в примесной зоне. Это явление наблюдается не только в InSb. Оно, вероятно, является общим для полупроводников, проводимость которых обусловлена примесной зоной. [2]

Отрицательное магнето-сопротивление в теллуриде ртути и Cd0 25Hg0 75Te.| Температурная зависимость магнето-сопротивления в твердом растворе теллури-дов кадмия и ртути Cdxllgi xTe ( x & ( 25. [3]

На рисунке хорошо видна область отрицательного магнетосопротивления. Температура влияет на величину магнетосопротивления, поскольку она меняет концентрацию носителей заряда. [4]

Исследования Брума [16] показывают, что в InSb л-типа отрицательное магнетосопротивление не является неотъемлемым свойством самого полупроводника и представляет собой лишь следствие искажения кристаллической решетки в процессе изготовления образца. [5]

Магнетосопротивление тонкой холодноосажденной пленки Mg при разных температурах. [6]

Таким образом магнитное поле можно использовать как инструмент для обнаружения слабой локализации: свидетельством ее существования является отрицательное Магнетосопротивление в слабом поле. Это экспериментальное доказательство существования слабой локализации как бы методом от противного, потому что мы видим процесс ее разрушения. [7]

Его величина зависит от магнитного поля квадратично лишь в слабых магнитных полях ( до 1 - 5 кэ), затем стремится к насыщению. Величина отрицательного магнетосопротивления практически не зависит ни от ориентации кристалла, ии от ориентации тока относительно магнитного поля. [8]

Много количественной работы остается сделать также для лучшего понимания природы электронных процессов в слабо графитизированных пиролизных осадках. Достаточно сказать, что в настоящее время нельзя дать удовлетворительного объяснения отрицательного магнетосопротивления. Вообще говоря, как мы подчеркивали раньше, модель Мрозовского предлагает объяснение изменений, происходящих с температурой осаждения. [9]

Магнетосопротивление в этом случае отрицательно при малых магнитных полях. В этом случае кривая имеет параболический вид и не указывает на существование отрицательного магнетосопротивления. Дальнейшим подтверждением того, что отрицательное Магнетосопротивление в InSb п-типа возникает при повреждении кристаллической решетки, служит тот факт, что в тщательно приготовленном образце, не проявляющем отрицательного магниторезистивного эффекта, последний возникает после такой его деформации, которая приводит к образованию большой плотности дислокаций. [10]

При высоких полях магнетосопротивление осажденных углей следует зависимости от Я1 78, характерной для монокристаллов и поликристаллических графитов, независимо от температуры осаждения. В осажденных материалах величина Др / ро, которая может превышать 50 % при 25 кгс, по-видимому, тесно связана со степенью предпочтительной ориентации и, таким образом, представляет независимый показатель структурной анизотропии углеродного осадка. В целом отрицательные магнетосопротивления, наблюдаемые в слабографитизи-рованных ПГ, подтверждают измерения Мрозовского на термообработанных углеродных сажах. [11]

Такого рода зависимость характерна для явлений с участием каких-либо магнитных центров. Сейчас принято считать, что причиной возникновения отрицательного магнетосопротивления является рассеяние носителей тока на частично локализованных магнитных моментах примесных центров. В магнитном поле эти моменты упорядочиваются, ориентируются, рассеяние электронов уменьшается. Повышение температуры дезориентирует их. Для существования эффекта отрицательного магнетосопротивления примеси должны Создавать не только обобществленные, но и частично локализованные состояния, Частично локализованные состояния возникают благодаря хаотическому распределению примесей. Они я являются носителями рассеивающих центров. При полном обобществлении или полной локализации состояний эффект исчезает. [13]

Если магнитное поле направлено вдоль j, то в этом случае изменения сопротивления не должно было бы быть. Однако в ряде веществ магнетосопротивление наблюдается, что объясняется сложной формой изоэнергетических поверхностей. В некоторых веществах при определенных условиях наблюдается увеличение проводимости при наложении магнитного поля; это явление называется отрицательным магнетосопротивлением. [14]

На рис. 15 поперечное магнитное сопротивление образцов R-7 и R-7, измеренное при 2500 гс, отложено как функция обратной температуры. Осажденный образец имеет положительное значение Др / ро выше 90 К и отрицательное - при более низких температурах. После термообработки Ар / ро остается положительным во всем температурном интервале, увеличиваясь до одного процента ниже 50 К. Переход от положительного к отрицательному магнетосопротивлению, наблюдаемый в ПГ р-типа, требует детального изучения, хотя мало надежды, что в настоящее время можно дать полное объяснение. Рисунок 15 наводит на мысль, что явление отрицательного магнетосопротивления обусловлено некоторыми особыми свойствами зонной структуры беспорядочно упакованных графитных слоев и что при графитизации полная зонная картина радикально меняется. [15]

Страницы: 1 2