Cтраница 2
На рис. 15 поперечное магнитное сопротивление образцов R-7 и R-7, измеренное при 2500 гс, отложено как функция обратной температуры. Осажденный образец имеет положительное значение Др / ро выше 90 К и отрицательное - при более низких температурах. После термообработки Ар / ро остается положительным во всем температурном интервале, увеличиваясь до одного процента ниже 50 К. Переход от положительного к отрицательному магнетосопротивлению, наблюдаемый в ПГ р-типа, требует детального изучения, хотя мало надежды, что в настоящее время можно дать полное объяснение. Рисунок 15 наводит на мысль, что явление отрицательного магнетосопротивления обусловлено некоторыми особыми свойствами зонной структуры беспорядочно упакованных графитных слоев и что при графитизации полная зонная картина радикально меняется. [16]
Такого рода зависимость характерна для явлений с участием каких-либо магнитных центров. Сейчас принято считать, что причиной возникновения отрицательного магнетосопротивления является рассеяние носителей тока на частично локализованных магнитных моментах примесных центров. В магнитном поле эти моменты упорядочиваются, ориентируются, рассеяние электронов уменьшается. Повышение температуры дезориентирует их. Для существования эффекта отрицательного магнетосопротивления примеси должны Создавать не только обобществленные, но и частично локализованные состояния, Частично локализованные состояния возникают благодаря хаотическому распределению примесей. Они я являются носителями рассеивающих центров. При полном обобществлении или полной локализации состояний эффект исчезает. [17]