Оксидная маска
Cтраница 2
 |
Основные этапы фотолитографии по кремнию.| Этапы изготовления фотошаблона под окна для омических контактов ( 4 - 53, в. Масштабы не выдержаны. [16] |
Поэтому, когда на следующем этапе пластину подвергают травлению, растворяются лишь обнаженные участки двуокиси кремния, вплоть до поверхности самой пластины, вследствие чего в оксидной маске получается необходимая совокупность окон, через которые в дальнейшем проводят локальную диффузию. [17]
При нланарной технологии для создания p - n - переходов используются процессы локальной диффузии примесей, производящиеся в плоскую ( планарную) кристаллическую подложку, осуществляемые с помощью оксидных масок и методов фотолитографии через фотошаблоны. Планарная технология позволяет изготовлять транзисторы групповым методом ( 300 - 400 шт. [18]
Хотя указанная особенность непосредственно соответствует термину планарный, обычно планарную технологию понимают более узко, как технологический цикл создания кремниевых приборов и интегральных схем методами локальной диффузии с использованием оксидных масок. [19]
 |
Этапы изготовления диффузионно-сплавного транзистора. [20] |
Хотя указанная особенность непосредственно соответствует термину пленарный, обычно планарную технологию понимают более узко как технологический цикл создания кремниевых приборов и инте - ральных схем методами локальной диффузии и эпитаксии с исполь-юванием оксидных масок. [21]
Фотолитография включает след, стадии: нанесение слоя фоторезиста на пленку 81О2, покрывающую кремниевую пластину; экспонирование слоя фоторезиста через фотошаблон-стеклянную пластину с множеством одинаковых рисунков областей прибора; проявление слоя фоторезиста; получение оксидной маски травлением пленки 8Ю2 через окна в проявленном фоторезисте; удаление фоторезиста. Используют фотолитографию контактную ( фотошаблон контактирует со слоем фоторезиста) и проекционную, осуществляемую либо однократным проецированием фотошаблона с множеством структур на всю пов-сть пластины, либо пошаговым экспонированием, при к-ром на пластину с определенным сдвигом ( шагом) многократно проецируют фотошаблон с изображением одной структуры. Кроме фотолитографии используют также рентгеновскую и электронную литографию. [22]
Планарная технология основана на использовании оксидных масок для избирательной физико-химической обработки полупроводниковой подложки. Оксидная маска представляет собой слой двуокиси кремния SiO2, полученный термической пассивацией подложки из кремния. Установлено, что пленка двуокиси кремния толщиной 0 1 мк является заградительной маской для диффундирующей примеси. [23]
На полученных островках ( в данном случае их два) формируются планарные транзисторы. Для этого изготовляют вторую оксидную маску, через которую в глубь островка, являющегося областью коллектора п-типа, осуществляется диффузия примеси р-типа и получается слой базы р-типа. Затем изготовляют третью оксидную маску, через которую в островки идет диффузия примеси n - типа, и получается эмиттер n - типа. [24]
За основу берется пластина кремния и-типа, которая в результирующей структуре играет роль коллектора. В эту пластину через 1-го оксидную маску осуществляется диффузия акцепторной примеси ( обычно бора) и получается слой р-базы. Затем через 2 - ю оксидную маску осуществляется диффузия донор-ной примеси ( обычно фосфора) и получается эмиттерный слой. [25]
За основу берется пластина кремния - типа, которая в результирующей структуре играет роль коллектора. В эту пластину через 1 - ю оксидную маску осуществляется диффузия акцепторной примеси ( обычно бора) и получается слой р-базы. Затем через 2 - ю оксидную маску осуществляется диффузия донорной примеси ( обычнс фосфора) и получается эмиттерный слой. Наконец, через 3 - ю маску напыляют омические контакты ко всем трем электродам и далее методом термоком-прессии осуществляют внешние выводы. [26]
Наиболее перспективными являются диоды, полученные пленарной технологией. Пленарная технология представляет собой совокупность технологических операций, предназначенных для создания в пленарных ( плоских) подложках ( пластинах) р-и-переходов методом локальной диффузии, осуществляемой с помощью оксидных масок и метода фотолитографии. При изготовлении пленарных диодов используется также э п и т а к - спальное наращивание - создание на монокристал-лической подложке слоя полупроводника, сохраняющего структуру подложки. [27]
На полученных островках ( в данном случае их два) формируются планарные транзисторы. Для этого изготовляют вторую оксидную маску, через которую в глубь островка, являющегося областью коллектора п-типа, осуществляется диффузия примеси р-типа и получается слой базы р-типа. Затем изготовляют третью оксидную маску, через которую в островки идет диффузия примеси n - типа, и получается эмиттер n - типа. [28]
За основу берется пластина кремния и-типа, которая в результирующей структуре играет роль коллектора. В эту пластину через 1-го оксидную маску осуществляется диффузия акцепторной примеси ( обычно бора) и получается слой р-базы. Затем через 2 - ю оксидную маску осуществляется диффузия донор-ной примеси ( обычно фосфора) и получается эмиттерный слой. [29]
За основу берется пластина кремния - типа, которая в результирующей структуре играет роль коллектора. В эту пластину через 1 - ю оксидную маску осуществляется диффузия акцепторной примеси ( обычно бора) и получается слой р-базы. Затем через 2 - ю оксидную маску осуществляется диффузия донорной примеси ( обычнс фосфора) и получается эмиттерный слой. Наконец, через 3 - ю маску напыляют омические контакты ко всем трем электродам и далее методом термоком-прессии осуществляют внешние выводы. [30]
Страницы: 1 2 3