Оксидная маска

Cтраница 3

Способы уменьшения поперечного сопротивления коллекторного слоя с помощью низкоомных шунтов. [31]

На поверхность двуокиси SiO2 наносится равномерный слой фотоэмульсии, так называемого фоторезиста. Сверху на слой фоторезиста накладывается стеклянная маска с прозрачными и зачерненными участками - фотошаблон. Сквозь эту маску засвечивают фоторезист ультрафиолетовым светом, как при обычной контактной фотопечати. После этого пластину с фоторезистом проявляют; в процессе проявления засвеченные участки фоторезиста стравливаются, и в этих местах обнажается поверхность двуокиси кремния. Оставшийся ( незасвеченный) слой фоторезиста подвергают термическому дублению - полимеризации, в результате чего этот слой становится нечувствительным к химическим травителям. Поэтому, когда на следующем этапе пластину подвергают травлению, растворяются лишь обнаженные участки двуокиси кремния вплоть до поверхности самой пластины. Тем самым в оксидной маске получается необходимая совокупность окон, через которые в дальнейшем проводят локальную диффузию. [32]

Страницы: 1 2 3