Маскодержатель

Cтраница 2

Для выполнения ингаляции трубку дыхательного шланга присоединяют к штуцеру ингаляционного мешка, а штуцер соединительной коробки - к шлангу дыхательного мешка. Открывают вентиль баллона и вращением головки редуктора устанавливают ориентировочную подачу кислородо-воздушной смеси. Затем на лицо пострадавшего накладывают маску и закрепляют ее маскодержателем. [16]

Способ свободной маски основан на экранировании подложки с помощью экрана из тонкой металлической фольги или другого материала, в котором тем или иным способом сделаны прорези и отверстия требуемой формы. Очертания и расположение этих прорезей и отверстий соответствуют требуемой конфигурации напыляемой пленки. Для того чтобы маска фиксировалась и плотно прижималась к подложке, используют специальные маскодержатели. Испаряемое вещество конденсируется только на тех местах подложки, которые не закрыты маской. [17]

Маска из молибденовой ленты для напыления точечных металлических контактов. [18]

Металлическая или стеклянная маска крепится в рамке. Подложка крепится с нижней стороны подложкодержателя и с помощью стопорной шпильки и нажимного штифта устанавливается над маской. Совмещение производится под микроскопом через рамку маскодержателя, а перемещение маски или подложки - с помощью боковых установочных винтов. Оба устройства для напыления ( рис. 4 и 5), состоящие из маскодержателя с маской и подложкодержателя с подложкой, для улучшения условий осаждения пленок при повышенных температурах, подвергаются нагреванию от спирали, установленной над подложкодержателем. [19]

Применение фотолитографии снимает много ограничений в отношении сложности конфигурации элементов тонкопленочной схемы. Этот способ является достаточно высокопроизводительным и создает наилучшие условия для производства резисторов с малыми погрешностями ( 15 % - ный разброс без подгонки резисторов) и высоким выходом годных. Это обусловлено тем, что, во-первых, на подложку наносят сплошные пленки материалов, что создает благоприятные условия для равномерного формирования слоев; во-вторых, когда резистивный слой получен с некоторыми отклонениями от заданного значения удельного сопротивления, можно применять набор компенсирующих фотошаблонов для изготовления резисторов. Последнее совершенно исключено в случае применения свободных и контактных масок; в-третьих, исключение процесса изготовления масок, маскодержателей и процесса совмещения под колпаком вакуумной установки ускоряет и удешевляет изготовление ИМС. Это особенно заметно, когда вместо нескольких масок и соответствующего числа напыления при изготовлении, например, сложных проводников, применяют одно напыление и один фотошаблон для процесса фотолитографии. [20]

Таким способом изготовлены тонкопленочные микросхемы, содержащие 80 резисторов шириной 100 мкм. Следует отметить, что способ с двукратным применением фотолитографии создает наилучшие условия для получения резисторов с малыми отклонениями от номиналов, высоким выходом годных микросхем и большой производительностью. Это обусловлено тем, что, во-первых, на подложку наносят сплошные пленки материалов элементов микросхем, что создает наиболее благоприятные условия для равномерного формирования пленок. Во-вторых, когда резистивный слой получен с некоторыми отклонениями от заданного значения удельного сопротивления, можно применить набор компенсирующих фотошаблонов для изготовления резисторов. В-третьих, исключение операций изготовления масок, маскодержателей и процесса совмещения под колпаком вакуумной установки ускоряет и удешевляет изготовление микросхем. [21]

Страницы: 1 2