База - транзистор
Cтраница 2
База транзистора Т1 подключена к движку потенциометра R4, который является частью делителя напряжения, подключенного к выходу стабилизатора. [16]
База транзистора Т3 подключена к адресной шине ЗУ, а эмиттер - к разрядной шине ячейки. Время выборки в ЗУ на ECL-схемах достигает 10 - 20 не. [17]
База транзистора Т2 ( КТ315Б) подключена к средней точке делителя напряжения R1 - транзистор TI. При увеличении синусоидального напряжения на вторичной обмотке трансформатора Тр увеличиваются напряжение на базе транзистора TI, ток коллектора этого транзистора, а напряжение уменьшается. [18]
Базы транзисторов Т6 и 77 питаются током эмиттера транзистора Т5 и, таким образом, при повышении температуры жестко стабилизированы без применения термистора. [19]
База транзистора выполняется обычно из относительно высокоомного материала, поэтому ее объемное сопротивление г б заметно влияет на работу транзистора. Так, при большом токе падение напряжения на сопротивлении гб уменьшает величину смещения эмиттерного перехода. [20]
База транзистора Т не включена непосредственно в цепь обратной связи, что уменьшает влияние цепи запуска на процесс переброса триггера. [21]
 |
Схема простейшего дифференциального усилительного каскада. [22] |
Базы транзисторов являются входами усилителя, а выходное напряжение снимают с одного из коллекторов транзисторов VT1 и VT2 ( несимметричное подключение нагрузки) или включают нагрузку между коллекторами двух транзисторов. [23]
 |
Частотная характеристика усилителя коррекции ( Л /. [24] |
База транзистора VT4 через резистор R27 соединена с коллекторной цепью транзистора VT5, включенного по схеме ОЭ и нагрузкой R28 в цепи коллектора. С коллектора транзистора VT3 сигнал подается на базу транзистора VT5, поэтому дифференциальный усилитель оказывается охваченным глубокой ООС как по переменному, так и по постоянному току. Благодаря этому усилитель имеет высокую термостабильность и малые нелинейные искажения. [25]
База транзистора выполняется обычно из относительно высокоомного материала, поэтому ее объемное сопротивление г б заметно влияет на работу транзистора. Так, при большом токе падение напряжения на сопротивлении гб уменьшает величину смещения эмиттерного перехода. [26]
База транзистора Т будет забирать примерно лишь 0 01 - 0 015 ма этого тока. [27]
Базы транзисторов V1 и V2 при этом соединяют вместе. [28]
База транзистора Trit соединенная со средней точкой делителя ( R5, е), получает вследствие этого потенциал, много меньший первоначальной величины, и транзистор Trl открывается. Но в этот момент потенциал на коллекторе 7i становится равным напряжению смещения р эмиттеров; иными словами, он возрастает ( цифра 0), вызывая при помощи делителя ( Rz, Ra) возрастание потенциала базы TR2, что усиливает закрытое состояние последнего. [29]
База транзистора Тв подключена непосредственно к коллектору транзистора Tz, что позволило обойтись без дополнительных элементов смещения. Резистор Rls, включенный в цепь эмиттера транзистора Тв, определяет его коллекторный ток, выбранный равным около 2 ма. Далее напряжение сигнала увеличивается примерно в шесть раз и подается на вход детектора. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5