База - транзистор
Cтраница 4
На базы транзисторов VI и V2 через разделительные диоды V3 и V4 поступает синусоидальное напряжение L / вх. Транзисторы переключаются, и на вторичной обмотке трансформатора формируется напряжение прямоугольной формы, синхронизированное с / X по частоте. [46]
 |
Простейшая схема устройства для получения асимметричного тока.| Схема устройства для получения асимметричного тока от источника переменного тока, работающего с более высоким к. п. д. [47] |
На базы транзисторов ТЗ и Т4 напряжение вторичных обмоток трансформатора прикладывается в противофазе, что обеспечивает поочередную работу транзисторов. [48]
 |
Схема транзисторного усилителя без.| Схема транзисторного усилителя без выходного трансформатора с фазоинверсиым каскадом на транзисторах с разной проводимостью. [49] |
На базы транзисторов оконечного каскада через делители напряжения йуйв и й Яш подается небольшое напряжение смещения, благодаря чему искажения при малом уровне сигнала незначительны. Кроме того, поскольку одно из сопротивлений каждого делителя подключено непосредственно к коллектору транзистора, возникает отрицательная обратная с § язь ( порядка 2 - 3 дб), которая также способствует уменьшению нелинейных искажений при слабом сигнале. [50]
 |
Модель 1 я-секции Линвилла. [51] |
Ток базы транзистора равен сумме токов /, всех секций. [52]
Цепь базы транзистора 2Т6 ( по постоянному току) соединена непосредственно с цепью эмиттера транзистора 2Т5, поэтому режим работы второго каскада видеоусилителя определяется режимом работы первого каскада. [53]
Толщина базы транзистора должна быть много меньше диффузионной длины инжектируемых в нее носителей о ( б1 5 - ь25 мкмс. [54]
Цепь базы транзистора представлена в эквивалентной схеме объемным активным сопротивлением базы г6, составляющим сотни ом. Процесс незначительного роста коллекторного тока / к с повышением напряжения на коллекторе 1 / к6 отражен в эквивалентной схеме дифференциальным коллекторным сопротивлением гк, определяемым соотношением гк ( SU K / dI), и составляющим обычно единицы мегаом. [55]
Цепи баз транзисторов Т12 и Т22 соединены с коллекторами входных транзисторов накоротко. [56]
Ток базы транзистора Т18 протекает по цепи: источник 12 В, эмиттерный переход транзистора Т18, резистор R60, переключатель Во, диод Д6, вывод 10 ИС А4, дешифратор, корпус. Ток базы транзистора Т16 протекает по цепи: 12 В, переход эмиттер-база транзистора Т16, резистор R56, переключатель В6, диод Д6, вывод 10 ИС А4, дешифратор, корпус. [57]
Ток базы транзистора к моменту окончания формирования фронта импульса достигает максимального значения iGic 1с макс, а затем в процессе формирования крыши импульса по мере заряда конденсатора С убывает по экспоненциальному закону - с-достоян-нон времени тс Сгв. [58]
Ток базы транзистора V10 через резистор R9 прекращается, и транзистор V10 запирается. Его транзисторы Vll, V12 периодически отпираются и запираются. [59]
Цепь базы транзистора в состоянии выключено рассчитывается с учетом главных факторов - стабильности / со или запуска. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5