Полупроводниковая элементная база

Cтраница 1

Полупроводниковая элементная база условно может быть разделена на неинтегральную и интегральную. [1]

Полупроводниковая элементная база может использоваться для осуществления всех функциональных частей и органов защиты. Ее внешней отличительной особенностью является отсутствие подвижных элементов и контактов. [2]

На этапе развития полупроводниковой элементной базы в процессе отладки машины практически ничто не изменилось, так как, несмотря на то что надежность полупроводников возросла более чем на два порядка, во столько же раз, а может быть и более, увеличилась логическая сложность комплексов ЭВМ, т.е. число логических элементов в машине. [3]

Современные синтезаторы частот, выполняемые на полупроводниковой элементной базе, представляют собой многофункциональные широкодиапазонные приборы с программируемым изменением амплитуды и частоты. Они широко используются для автоматизации контрольно-измерительных операций, имитации различных видов радиосигналов и измерения радиотехнических и физических величин. Высокая спектральная чистота и точность установки частоты выходного сигнала синтезаторов позволяют находить для них все новые и новые области применения. [4]

Современные синтезаторы частот, выполняемые па полупроводниковой элементной базе, представляют собой многофункциональные широкодиапазонные приборы с программируемым изменением амплитуды и частоты. Они широко используются для автоматизации контрольно-измерительных операций, имитации различных видов радиосигналов и измерения радиотехнических и физических величин. Высокая спектральная яистота и точность установки частоты выходного сигнала синтезаторов позволяют находить для них все новые я новые области применения. [5]

Все эти части возбудителя выполнены на основе полупроводниковой элементной базы и являются весьма сложными устройствами, особенно электронная система управления. [6]

Станция управления типа Б9С - 3 построена на полупроводниковой элементной базе и может работать в ручном, автоматическом, периодическом режимах. [7]

На рис. 15.3 показаны принципиальные схемы передающего и принимающего комплектов устройства, выполненных на полупроводниковой элементной базе. На вход передающего полукомплекта ( рис. 15.3, а) подается синусоидальное напряжение частотой 50 Гц из блока питания аппаратуры телефонной связи. [8]

Промышленность выпускает более совершенную направленную защиту нулевой последовательности от замыкания на землю типа ЗЗП-1 на полупроводниковой элементной базе. Защита предназначена для селективного отключения защищаемого присоединения при однофазных замыканиях на землю в сетях с изолированной нейтралью. Она имеет три установки первичного тока срабатывания: 1 - 0 07 А; 2 - 0 5 А; 3 - 2 А. Первичный ток срабатывания определяют, исходя из требования обеспечения необходимого коэффициента чувствительности k4 2, / сз З / Дч. Защита ( рис. 7.7, с) состоит из вторичного измерительного преобразователя тока нулевой последовательности в виде промежуточного трансформатора TLA, нагруженного конденсатором С6 ( называемого согласующим устройством), двухкаскадного избирательного усилителя переменного тока на транзисторах VT1 и VT2, схемы сравнения фаз на транзисторах VT3 и VT4 двух электрических величин, пропорциональных току З / о и напряжению 3J70 нулевой последовательности, и реагирующего элемента ЕА. [9]

Форма кривой выходного напряжения с высокой скважностью неприемлема с точки зрения работы электромеханических аппаратов, не говоря об устройствах, выполненных на полупроводниковой элементной базе. Таким образом, непосредственное применение в БПТ тиристорного импульсного СН по схеме, приведенной на рис. 2, а, практически невозможно из-за существенных перенапряжений и неудовлетворительной формы кривой выходного напряжения. Для улучшения характеристик СН необходимо применение частотных фильтров до или после выпрямителя, а также средств для ограничения амплитуды перенапряжений на входе СН. [10]

Проблемы снижения массогабаритных характеристик и повышения надежности функционирования линий связи являются наиболее актуальными и рассматриваются совместно с проблемой уменьшения трудоемкости изготовления и обслуживания не только самих линий, но и всех РЭС. Они решаются за счет использования прогрессивной полупроводниковой элементной базы повышенной интеграции; внедрения цифровых систем управления и мультиплексных каналов обмена информацией; отказа ( по возможности) от электромеханических устройств; применения встроенных систем контроля; разработки аппаратуры, позволяющей изменить свою конфигурацию подключением резервных узлов и устройств или перераспределением решаемых задач ( при отказе некоторых узлов) на другие вычислительные средства. [11]

Реализация логических операций на контактах электромеханических реле. [12]

Некоторые электромагнитные реле используются при осуществлении защит и на других элементных базах. Так, например, защиты на полупроводниковой элементной базе часто имеют выходные органы в виде промежуточных электромагнитных реле с контактами, способными коммутировать большие мощности цепей отключения; для гальванической развязки в логической части этих защит применяют герконовые реле - специальную разновидность электромагнитных реле с магнитоуправляемым контактом. [13]

Классические электромеханические и электромагнитные автоматические устройства были доведены до высокого технического совершенства накануне наступившей эры полупроводниковой элементной базы информационной техники. [14]

Развитие цифровых приборов несмотря на небольшой срок ( порядка 20 - 25 лет) имеет свою историю. Полупроводниковая элементная база позволила значительно повысить надежность, быстродействие и долговечность цифровых приборов. В последние годы для создания цифровых приборов все чаще применяют интегральные схемы, что дало возможность сократить габариты и потребляемую мощность цифровых приборов, а также упростить технологию, автоматизировав их производство. [15]

Страницы: 1 2