Cтраница 2
Современные ИВЭ являются достаточно сложными устройствами, содержащими большое количество функциональных узлов, выполняющих те или иные функции преобразования электрической энергии и улучшения ее качества. При этом они стали занимать примерно 25 - 30 % от общего объема электронной аппаратуры. Это связано с переводом электронной аппаратуры на полупроводниковую элементную базу. [16]
Функциональная схема защиты от замыкания на землю, реагирующей на начальный знак мощности нулевой последовательности переходного процесса. [17] |
Исследования показывают [98], что в начальной стадии переходного процесса результирующая мощность нулевой последовательности и мощность электромагнитной волны имеют одинаковые знаки. Структурная схема защиты показана на рис. 7.9. Устройство выполнено на полупроводниковой элементной базе. Основным органом защиты является импульсное реле направления мощности KW, фиксирующее начальный знак мгновенной мощности переходного процесса при замыканиях на землю. [18]
В конце 50 - х годов в СССР возникла полупроводниковая промышленность: были проведены разработки и создано производство диодов и транзисторов. В 100 раз меньше напряжение питания, в 10000 раз меньше потребляемая энергия, многократно уменьшаются габариты, повышается надежность. Немудрено, что сотрудники СКВ ИТМ и ВТ почти подпольно переложили ламповую машину БЭСМ на полупроводниковую элементную базу и доказали тем самым теорему существования полупроводниковых ЭВМ: можно было официально приступать к их разработке. [19]
Анализ различных видов короткого замыкания ( см. § 8.2) показывает, что для выполнения дистанционной защиты в общем случае необходимо иметь шесть реле сопротивления на одну ступень. Оно состоит из трех направленных реле сопротивления. В этом случае для правильного действия защиты необходимо ток и напряжение, подводимые к реле, автоматически менять в зависимости от вида повреждения. Имеются дистанционные защиты, например ПЗ-3, у которых в качестве пусковых органов используются электромеханические реле тока, а дистанционный орган выполнен на полупроводниковой элементной базе с характеристикой в виде окружности с центром в начале координат комплексной плоскости. У этого органа цепи тока и цепи напряжения переключаются при срабатывании пусковых органов. [20]