Cтраница 3
Однако если образец представляет собой изолирующий материал, заряд быстро накапливается, что не позволяет электронам вылетать наружу. В этом случае происходит ослабление наблюдаемого сигнала, а к образцу начинают притягиваться рассеянные электроны ( которые всегда присутствуют в том или ином количестве) до наступления равновесия. Эффект накопления заряда может оказаться очень значительным. Для его устранения в прибор встраивают источник низкоэнергетических электронов, нацеленный на образец, что позволяет получить дополнительную полезную информацию. На рис. 12 - 17 показаны два участка спектра диборида ванадия, подвергнутого действию воздуха [17], на котором видны два пика ls - электронов бора, когда источник омывающего образец потока низкоэнергетических электронов выключен, и только один пик ( площадь его равна сумме двух предыдущих) - когда включен. Это означает, что присутствуют атомы бора только одного вида, но две трети этих атомов электрически изолированы от основной массы образца. Пики 2р - электронов ванадия не изменяются при включении и выключении источника. Изменения же ls - пиков кислорода показывают, что пик, помеченный буквой С, относится к атомам, связанным с ванадием, тогда как кислород А - и В-типа связан с бором. [31]
Важным фактором при использовании метода Лэиг-мюра является правильный контроль за температурой поверхности испарения. Температурный фактор часто является одним из основных источников отиибо К измерений скоростей испарения. Температура ячейки испарения обычно контролируется термопарой или оптическим пирометром. Термопара помещается непосредственно под испаряемым образцом или в отверстие в нем, как можно ближе к поверхности испарения. Однако с повышением температуры образца резко возрастают излучаемая мощность и скорость испарения с поверхности образца, что приводит к охлаждению поверхности и увеличению разности между температурой, показываемой термопарой, и истинной температурой поверхности вещества. Эта разность тем больше, чем дальше расположен спай термопары от поверхности, чем меньше теплопроводность образца и чем больше скорость его испарения и излучательна я способность. Из проведенных нами замеров следует, что разность температур различных участков поверхности и основной массы образца может различаться от единиц до десятков градусов. Поэтому желательно измерение температуры непосредственно по-оерхности испарения. Выше - 600 это возможно при помощи оптического пирометра. Однако фактические ошибки измерений при этом могут значительно превышать ошибки, обозначенные в паспорте пирометра. Это происходит из-за отсутствия точных значений коэффициентов излучений для многих веществ в широком температурном диапазоне и из-за присутствия на поверхности испарения экранирующих пленок и других загрязнений, имеющих резко отличные коэффициенты излучения. Модель черного тела, при помощи которой можно было бы получать истинную температуру поверхности, выполнить иногда для образца чрезвычайно сложно. [32]